[发明专利]具有熔丝的集成电路与其系统有效
申请号: | 201010121640.X | 申请日: | 2010-02-20 |
公开(公告)号: | CN101814491A | 公开(公告)日: | 2010-08-25 |
发明(设计)人: | 吴显扬;郑价言;龚威菖 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/525 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 陈红 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 集成电路 与其 系统 | ||
技术领域
本揭露一般是有关于半导体电路的领域,特别是有关于具有熔丝的集成电路与其系统。
背景技术
在半导体工业中,熔丝元件已被广泛地应用于集成电路的各种用途上,例如:改善制造良率或客制化通用型集成电路。举例而言,熔丝元件可被用来以位于一芯片上的冗余电路来替换位于同一芯片上的有缺陷的电路,因而有效地增加制造良率。由于内存芯片是于许多完全相同的内存晶胞和晶胞群所组成,故替换有缺陷的电路对改善内存芯片的制造良率特别有用。在又一例子中,选择性地烧断集成电路中的熔丝可用以客制化通用型集成电路至各种不同的客户用途。
发明内容
根据一或多个实施例,一种集成电路包含:位于衬底上方的熔丝。该熔丝具有第一端、第二端和位于第一端与第二端间的中间部分。第一虚设图案(Dummy Pattern)被设置相邻于熔丝的中间部分的每一侧,其中该第一虚设图案包含二第一线条,该些第一线条是平行于该熔丝的该中间部分,该些第一线条间具有相邻于该熔丝的该中间部分的一第一空隙,当该熔丝被熔化时,熔融的熔丝材料会迁移至该些第一线条其中至少一者,而该第一空隙能将该些第一线条隔离,以保持电流路径为开路。
在又一实施例中,一种系统包含:连接至集成电路的处理器。该集成电路包含:位于衬底上方的熔丝。该熔丝具有第一端、第二端和位于第一端与第二端间的中间部分。第一虚设图案被设置相邻于熔丝的中间部分的每一侧,其中该第一虚设图案包含二第一线条,该些第一线条是平行于该熔丝的该中间部分,该些第一线条间具有相邻于该熔丝的该中间部分的一第一空隙,当该熔丝被熔化时,熔融的熔丝材料会迁移至该些第一线条其中至少一者,而该第一空隙能将该些第一线条隔离,以保持电流路径为开路。
本发明的这些和其它实施例与其特征是结合以下文字说明与所附附图来详细地叙述。
附图说明
为使本发明的上述和其它目的、特征、优点与实施例能更明显易懂,所附附图的详细说明如下。要强调的是。各种特征并未按实际尺寸示出,其仅做为说明的用途。事实上,各种特征的数量与尺寸可任意增加或减少,以清楚讨论。
图1为示出集成电路的例示熔丝及与其相邻的复数个虚设图案的示意图;
图2为示出与图1的熔丝图案相对应的模拟图案的示意图;
图3为示出集成电路的熔丝及与其相邻的其它例示虚设图案的示意图;
图4A至图4H为示出熔丝端与中间部分间的各种例示图案的示意图;
图5A至图5F为示出熔丝的中间部分间的各种例示图案的示意图;
图6为示出例示的熔丝的电阻(Ohm;Ω)与累计分布(%)间的关系的测量图;
图7为示出集成电路的一部分的示意图;
图8为示出包含例示集成电路的系统的示意图。
【主要元件符号说明】
100:集成电路 100a:熔丝
101:第一端 103:第二端
105:中间部分 107:部分
109:部分 110a:第一虚设图案
110b:第一虚设图案 111:线条
113:线条 115a:空隙
115b:空隙 117:线条
119:线条 120a:第二虚设图案
120b:第二虚设图案 121:线条
123:线条 125a:空隙
125b:空隙 127:线条
129:线条 130a:第三虚设图案
130b:第三虚设图案 131:线条
132:线条 133:线条
136:线条 137:线条
138:线条 205:中间部分
207:部分 209:部分
211:线条 213:线条
217:线条 219:线条
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的