[发明专利]发光器件封装和包括其的照明系统

说明书

技术领域

实施方案涉及一种发光器件封装和包括其的照明系统。 

背景技术

发光二极管(LED)可构成利用化合物半导体材料例如GaAs基材料、AlGaAs基材料、GaN基材料、InGaN基材料和InGaAlP基材料的发光源。 

发光器件广泛用于光学器件和高功率电子器件的领域。 

这种发光器件被封装，因此用作发射各种颜色的光的发光设备。发光设备用作各个领域如照明显示、字符显示和图像显示中的光源。 

发明内容

实施方案提供一种提高热发射效率的发光器件封装和包括其的照明系统。 

在一个实施方案中，发光器件封装包括：具有沟槽的封装体；所述沟槽内的金属层；和所述金属层上方的发光器件。 

在另一实施方案中，照明系统包括：发光模块，其包括发光器件封装，所述发光器件封装包括具有沟槽的封装体；所述沟槽内的金属层；和所述金属层上方的发光器件。 

一个或更多个实施方案的细节在附图和以下说明中提出。从说明书和附图以及权利要求书，其他特征将变得明显。 

附图说明

图1是根据一个实施方案的发光器件封装的截面图。 

图2至5是示出根据一个实施方案的发光器件封装的制造工艺的视 图。 

图6是根据另一实施方案的发光器件封装的截面图。 

图7是根据一个实施方案的照明单元的透视图。 

图8是根据一个实施方案的背光单元的透视图。 

具体实施方式

在下文，将参照附图描述根据一个实施方案的发光器件封装和包括其的照明系统。 

在以下说明中，应当理解，当称层(或膜)在另一层或衬底之“上”时，它可以直接在另一层或衬底之上，或者也可以存在中间层。此外，应当理解，当称层在另一层之“下”时，它可以直接在另一层之下，或者也可以存在一个或更多个中间层。此外，还应理解，当称层在两个层“之间”时，它可以是所述两个层之间的唯一层，或者也可以存在一个或更多个中间层。 

图1是根据一个实施方案的发光器件封装的截面图。 

根据一个实施方案的发光器件封装可包括具有沟槽的封装体110、设置在沟槽中的金属层120、设置在金属层120上的粘合层150和设置在粘合层150上的发光器件160。 

在一个实施方案中，发光器件可以是发光二极管(LED)，但是不限于此。 

虽然在图1中示出的是水平型发光器件芯片，但是本公开不限于此。例如，实施方案可应用于垂直型发光器件芯片。 

在一个实施方案中，发光器件封装可具有如下结构：在封装体110上执行各向异性湿法或干法蚀刻工艺以限定通孔，然后执行电镀工艺以填充通孔。 

此时，可通过发光器件底表面边缘处限定的通孔供给电流以通过发光器件芯片下方限定的通孔发射热，由此提高热发射效率。 

在根据一个实施方案的发光器件中，可增加具有高导热性的金属的百分比，并且可以在发光器件封装的底表面中设置窄且深的热扩散层以提高 热发射效率。 

此外，由于执行考虑衬底的晶体取向的各向异性湿蚀刻工艺来低成本地限定窄且深的沟槽，所以当利用电镀技术填充具有高导热性的金属时，可形成窄且深的热扩散层。 

在下文，将参照图2至5描述发光器件的封装方法。 

如图2所示，用于安装发光器件160的腔C可形成于封装体110中，但是不限于此。 

封装体110可以是硅(Si)衬底，但是不限于此。封装体110可具有<110>取向。 

在相关技术中，用于形成热发射通路的<100>Si晶圆具有<111>晶面和约54.7°的倾角。因此，当执行湿蚀刻工艺时，热发射通路具有其宽度朝向下方向逐渐变窄或变宽的形状。因此，存在难以形成窄且深的沟槽的局限性。 

此外，可以执行除湿蚀刻工艺之外的各向异性干蚀刻工艺如反应离子蚀刻(RIE)工艺以形成多个窄且深的沟槽。然而，考虑到昂贵的制造成本和加工时间，难以将各向异性干蚀刻工艺应用于LED封装的制造工艺。 

因此，在一个实施方案中，可使用其中<111>晶面与其垂直的<110>Si晶圆来利用各向异性湿蚀刻工艺(其为廉价的蚀刻工艺)形成窄且深的沟槽。