[发明专利]二次电池有效
申请号: | 201010121350.5 | 申请日: | 2010-02-23 |
公开(公告)号: | CN101814725A | 公开(公告)日: | 2010-08-25 |
发明(设计)人: | 金荣浚 | 申请(专利权)人: | 三星SDI株式会社 |
主分类号: | H02H7/18 | 分类号: | H02H7/18 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 罗正云;宋志强 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 二次 电池 | ||
技术领域
本发明涉及二次电池。更具体地说,本发明涉及用于二次电池的内置充 电电路和具有该内置充电电路的二次电池。
背景技术
随着近年来电子、信息通信和计算机行业的快速进步和发展,对便携式 电子设备的使用日益增加。二次(可再充电)电池主要用作便携式电子设备 的电源。
组型电池当前被广泛用作二次电池。组型二次电池通常具有其中存储和 供应电能的裸单电池和控制裸单电池的充/放电的保护电路被集成到一个单 元中的结构。
在诸如便携式计算机之类的便携式电子设备中使用的二次电池被构造 成使得该电池在它被装在便携式电子设备上的状态下被充电。内置充电电路 的二次电池最近也被使用,这种二次电池被配置成使得该电池即使在它与便 携式电子设备分离的状态下也能够被充电。不幸的是,二次电池中内置的传 统充电电路可能容易被电路部件的反向充电连接产生的电流损害。
图1示出内置有传统充电电路的二次电池的框图。参见图1,二次电池 10包括裸单电池20、保护电路部分30以及充电电路部分40。充电电路部 分40以使得二次电池10能够在它与便携式电子设备(未示出)分开的状态 下被充电的方式形成。充电电路部分40包括连接到正电极充电端子41的第 一开关元件42和连接到负电极充电端子43的反向电流阻止元件44,这样 充电电路部分40以输入电压高于输出电压的逐步下降(step-down)方式运 行。第一开关元件42的占空比由脉宽调制(PWM)控制器45控制,从而 获得期望的充电电压。通过第一开关元件42获得的给定充电电压被存储在 扼流圈46中,并被施加到保护电路部分30。反向电流阻止元件44阻止充 电电流流向负电极充电端子43。当第一开关元件42截止时,反向电流阻止 元件44的场效应晶体管(FET)48导通,因此存储在扼流圈46中的能量通 过反向电流阻止元件44的二极管47的前向通路引出。
二次电池10即使在它被装在便携式电子设备上的状态下也能够被充 电。这是通过连接到保护电路部分30的正电极充/放电端子31和负电极充/ 放电端子32来实施的。然而,当正电极充/放电端子31和负电极充/放电端 子32被错误地反向连接到便携式电子设备时,这会导致反向充电的发生。 保护电路部分30检测反向充电事件,从而截止充电开关元件33和放电开关 元件34,以实现对保护电路部分30的保护。然而,在充电电路部分40中 生成了由虚线表示的不期望的电流(I)。该电流(I)将依次通过负电极充电端子 43、反向电流阻止元件44、扼流圈46以及正电极充/放电端子31。电流(I) 的流动会导致反向电流阻止元件44生热,从而会对反向电流阻止元件44造 成损害。
发明内容
因此,鉴于以上问题而做出本发明,本发明的目的在于提供一种用于二 次电池的、能够阻止由反向充电对电池部件造成损害的内置充电电路,以及 具有该内置充电电路的二次电池。
根据本发明,以上和其它目的可通过提供一种二次电池来完成,该二次 电池包括:具有正电极和负电极的裸单电池;电连接到所述裸单电池的保护 电路部分;电连接到所述保护电路部分的正电极充/放电端子和负电极充/放 电端子;用于向所述保护电路部分供应充电电流的充电电路部分;以及电连 接到所述充电电路部分的正电极充电端子和负电极充电端子;其中所述充电 电路部分包括第一反向电流阻止部件和用于阻止由反向充电而对所述第一 反向电流阻止部件产生的损害的第二反向电流阻止部件。
根据一方面,上述需要通过对本发明的一种实施方式来满足,该实施方 式包括一种二次电池,该二次电池包括:裸单电池以及连接到所述裸单电池 的保护电路,其中所述保护电路包括适于连接到负载的正电极端子和负电极 端子。在该实施方式中,二次电池进一步包括具有正电极充电端子和负电极 充电端子的充电电路部分,其中所述充电电路部分连接到所述裸单电池。在 该实施方式中,所述充电电路部分包括第一反向电流阻止部件和第二反向电 流阻止部件,所述第一反向电流阻止部件抑制充电电流流向所述负电极充电 端子,所述第二反向电流阻止部件抑制由所述保护电路的正电极端子和负电 极端子上的反向充电而产生的反向电流的流动造成的损害。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星SDI株式会社,未经三星SDI株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010121350.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:带有聚光器的光伏器件
- 下一篇:用于FinFET的ESD保护