[发明专利]二次电池有效
申请号: | 201010121350.5 | 申请日: | 2010-02-23 |
公开(公告)号: | CN101814725A | 公开(公告)日: | 2010-08-25 |
发明(设计)人: | 金荣浚 | 申请(专利权)人: | 三星SDI株式会社 |
主分类号: | H02H7/18 | 分类号: | H02H7/18 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 罗正云;宋志强 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 二次 电池 | ||
1.一种二次电池,包括:
裸单电池;
保护电路,连接到所述裸单电池,其中所述保护电路包括适于连接到负载 的正电极端子和负电极端子;
充电电路部分,具有正电极充电端子和负电极充电端子,其中所述充电电 路部分连接到所述保护电路,其中所述充电电路部分包括第一反向电流阻止部 件和第二反向电流阻止部件,第一反向电流阻止部件用于抑制充电电流流向所 述负电极充电端子,所述第二反向电流阻止部件用于抑制由所述保护电路的正 电极端子和负电极端子上的反向充电产生的反向电流的流动造成的损害,
其中所述第二反向电流阻止部件插置于所述第一反向电流阻止部件与所述 负电极充电端子之间,并且被布置成在反向充电发生时抑制电流流经第一反向 电流阻止部件,并且
其中所述第二反向电流阻止部件包括晶体管,该晶体管具有连接到所述保 护电路的电极端子之一的栅极,从而在反向电流情况发生时,该晶体管被截止 以抑制电流流经所述第一反向电流阻止部件。
2.根据权利要求1所述的二次电池,其中所述第一反向电流阻止部件包括 晶体管。
3.根据权利要求2所述的二次电池,其中所述第一反向电流阻止部件进一 步包括与所述晶体管并联连接的寄生二极管。
4.根据权利要求1所述的二次电池,其中所述第一反向电流阻止部件包括 二极管。
5.根据权利要求1所述的二次电池,其中所述充电电路部分具有插置于所 述裸单电池与所述正电极充电端子之间以能够控制正在被输送到该裸单电池的 电荷的充电控制开关和电荷存储设备。
6.根据权利要求5所述的二次电池,其中所述第一反向电流阻止部件插置 于所述电荷存储设备与所述负电极充电端子之间,从而控制放电电流流向所述 负电极充电端子。
7.根据权利要求1所述的二次电池,其中所述晶体管的栅极电连接到所述 保护电路的正电极端子。
8.根据权利要求1所述的二次电池,进一步包括抑制反向电流流经所述充 电电路部分的第三反向电流阻止部件。
9.根据权利要求8所述的二次电池,其中所述第三反向电流阻止部件包括 插置于所述正电极充电端子与所述第一反向电流阻止部件之间的二极管。
10.一种二次电池,包括:
裸单电池;
保护电路,互连在所述裸单电池与适于连接到负载的用于所述裸单电池的 充电或放电的端子之间,其中所述保护电路控制所述裸单电池的充电状态;
充电电路,具有正电极输入端和负电极输入端,其中所述充电电路经由所 述保护电路向所述裸单电池提供电荷,其中所述充电电路定义在所述正电极输 入端与所述保护电路之间延伸的正充电通路,并且其中第一开关设备和电荷存 储设备沿该正充电通路被放置,并且其中所述充电电路定义所述电荷存储设备 与所述负电极输入端之间的存储能量放电通路,其中第一反向电流保护元件沿 所述存储能量放电通路被放置,并且其中所述充电电路包括第二反向电流保护 元件,该第二反向电流保护元件抑制由连接到所述负载的保护电路的端子上的 反向充电对所述充电电路造成的损害,
其中所述第二反向电流保护元件插置于所述第一反向电流保护元件与所述 负电极输入端之间,并且被配置成在反向充电发生时抑制电流流经第一反向电 流保护元件,并且
其中所述第二反向电流保护元件包括晶体管,该晶体管具有连接到所述保 护电路的端子之一的栅极,从而在反向电流情况发生时,该晶体管被截止以抑 制电流流经所述第一反向电流保护元件。
11.根据权利要求10所述的二次电池,其中所述第一反向电流保护元件包 括晶体管。
12.根据权利要求11所述的二次电池,其中所述第一反向电流保护元件进 一步包括与所述晶体管并联连接的寄生二极管。
13.根据权利要求10所述的二次电池,其中所述第一反向电流保护元件包 括二极管。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星SDI株式会社,未经三星SDI株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010121350.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:带有聚光器的光伏器件
- 下一篇:用于FinFET的ESD保护