[发明专利]固态成像元件及其驱动方法有效
| 申请号: | 201010120111.8 | 申请日: | 2010-02-12 |
| 公开(公告)号: | CN101814518A | 公开(公告)日: | 2010-08-25 |
| 发明(设计)人: | 竹下光明;久保寺隆;中村明弘 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/148;H04N5/335 |
| 代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 固态 成像 元件 及其 驱动 方法 | ||
相关申请的参考
本申请包含涉及在于2009年2月23日向日本专利局提交的日 本优先权专利申请JP 2009-039765披露的主题,将其全部内容并入 本文作为参考。
技术领域
本发明涉及一种固态成像元件及其驱动方法。更具体地,涉及 一种单板固态成像元件(single plate solid-state imaging element)及 其驱动方法。
背景技术
在现有的单板彩色固态成像元件,如CCD(电荷耦合器件)或 CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器中,彩色滤光片(color filter)设置在光接收/电荷存储层上以使得红色、绿色或蓝色光通过。 为获得彩色图像信息,将通过彩色滤光片并被光接收/电荷存储层接 收的可见光作为信号从固态成像元件中输出。顺便提一下,大约2/3 的入射光被各种颜色的滤光片吸收了,由此导致了差的可见光利用 率和低的灵敏度。此外,每个固态成像元件提供一种单色色彩信号, 尤其导致低分辨率和明显的色彩失真。
为克服这些缺陷,已经研究和开发了一些固态成像元件,这些 固态成像元件具有一层堆叠在另一层顶部的三个光接收/电荷存储 层(例如,参考日本特开第2006-278446号,下文中,称作专利文 献1)。例如,在具有这样结构的固态成像元件中,分别用于产生与 三原色光或蓝、绿、红光相应的电荷的三个光接收/电荷存储层从光 入射面以这样的顺序堆叠在一起。每个固态成像元件具有信号读出 电路并将几乎所有的入射光转换为电信号,其中,信号读出电路适 用于独立读出由每个光接收/电荷存储层产生的电荷。这样确保了近 100%的可见光利用率。单个固态成像元件提供红、绿、蓝三原色信 号,由此提供具有高灵敏度和高分辨率的优质图像。
发明内容
在专利文献1披露的固态成像元件中,一层堆叠在另一层上的 光接收/电荷存储层的每一个设置有MOS(金属氧化物半导体)开 关。换句话说,三个MOS开关彼此独立设置。这导致了固态成像 元件整体面积变大,使得该元件不适于小型化。
据上所述,期望提供一种固态成像元件及其驱动方法,其中, 该固态成像元件具有一层堆叠在另一层的顶部上的光接收/电荷存 储层,可以减小其总体面积。
根据本发明一个实施方式的固态成像元件包括:
(A)形成在半导体层中的光接收/电荷存储区,该光接收/电荷 存储区包括一层堆叠在另一层的顶部上的M层光接收/电荷存储层 (其中,M≥2);
(B)形成在半导体层上的电荷输出区;
(C)导通/非导通控制区,包括位于光接收/电荷存储区和电荷 输出区之间的部分半导体层;以及
(D)导通/非导通控制电极,用于控制导通/非导通控制区的导 通或者非导通状态。
此外,第m电位控制电极设置在第m和第(m+1)光接收/电 荷存储层(其中,1≤m≤(M-1))之间,从而控制光接收/电荷存 储层的电位。
根据本发明实施方式的固态成像元件的驱动方法是指上述固 态成像元件的驱动方法。该驱动方法将预定电压施加到导通/非导通 控制电极以使得导通/非导通控制区进入导通状态。该驱动方法还将 第一控制电压施加到第一到第(m-1)电位控制电极,同时,将第 二控制电压施加到第m到第(M-1)电位控制电极。这在电位上隔 离了第一到第m光接收/电荷存储层与第(m+1)到第M光接收/ 电荷存储层,从而,通过已进入导通状态的导通/非导通控制区将存 储在第一到第m光接收/电荷存储层中的电荷转移到电荷输出区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





