[发明专利]固态成像元件及其驱动方法有效
| 申请号: | 201010120111.8 | 申请日: | 2010-02-12 |
| 公开(公告)号: | CN101814518A | 公开(公告)日: | 2010-08-25 |
| 发明(设计)人: | 竹下光明;久保寺隆;中村明弘 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/148;H04N5/335 |
| 代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 固态 成像 元件 及其 驱动 方法 | ||
1.一种固态成像元件,包括:
(A)形成在半导体层中的光接收/电荷存储区,所述光接 收/电荷存储区包括一层堆叠在另一层顶部上的M层光接收/ 电荷存储层,其中,M≥2;
(B)形成在所述半导体层中的电荷输出区;
(C)导通/非导通控制区,包括位于所述光接收/电荷存 储区和所述电荷输出区之间的部分所述半导体层;以及
(D)导通/非导通控制电极,用于控制所述导通/非导通 控制区的导通或非导通状态,其中,
第m电位控制电极设置在第m和第(m+1)光接收/电荷 存储层之间,以控制所述光接收/电荷存储层的电位,其中1≤ m≤(M-1),并且
中间层夹置在第m和第(m+1)光接收/电荷存储层之间, 并且至少部分地被所述电位控制电极包围。
2.根据权利要求1所述的固态成像元件,其中,
将第一控制电压施加到第一到第(m-1)电位控制电极, 同时,将第二控制电压施加到第m到第(M-1)电位控制电 极,以便将第一到第m光接收/电荷存储层与第(m+1)到第 M光接收/电荷存储层在电位上隔离。
3.根据权利要求1所述的固态成像元件,其中,
所述电位控制电极和导通/非导通控制区具有第一导电 型,以及
所述电荷输出区、光接收/电荷存储层和所述中间层具有 第二导电型。
4.根据权利要求1所述的固态成像元件,其中,
最上层光接收/电荷存储层覆盖有涂层,所述涂层包括含 有与所述最上层光接收/电荷存储层导电型不同的杂质的半导 体材料,以及
所述涂层被连接到所述导通/非导通控制区。
5.根据权利要求1所述的固态成像元件,其中,
势垒区形成在所述光接收/电荷存储层和导通/非导通控 制区之间的半导体层区域中,所述势垒区含有与所述光接收/ 电荷存储层导电型相同的杂质。
6.根据权利要求5所述的固态成像元件,其中,
所述电位控制电极和导通/非导通控制区具有第一导电 型,
所述电荷输出区、光接收/电荷存储层和夹在第m和第 (m+1)光接收/电荷存储层之间的中间层具有第二导电型, 以及
所述中间层至少部分地被所述电位控制电极包围。
7.根据权利要求5所述的固态成像元件,其中,
所述电位控制电极和导通/非导通控制区具有第一导电 型,
所述电荷输出区和光接收/电荷存储层具有第二导电型, 以及
所述电位控制电极夹在第m和第(m+1)光接收/电荷存 储层之间。
8.根据权利要求1所述的固态成像元件,其中,
在所述半导体层的表面上形成有元件隔离区,所述元件 隔离区包括含有导电型与所述光接收/电荷存储层不同的杂质 的半导体材料。
9.根据权利要求1所述的固态成像元件,其中,
所述光接收/电荷存储层在电荷储存之前被完全耗尽。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





