[发明专利]利用钝化后互连结构形成的硅通孔

权利要求书

1.一种集成电路结构，包括：

半导体衬底；

硅通孔TSV，延伸到所述半导体衬底中；

焊盘，形成在所述半导体衬底上方，并与所述TSV隔开；以及

互连结构，形成在所述半导体衬底上方，并电连接所述TSV和所述焊 盘，

其中，所述互连结构包括形成在所述焊盘上的上部和与所述焊盘相邻 的下部，并且所述上部延伸以电连接所述TSV。

2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述互连结构的所述 下部是环绕所述焊盘的环。

3.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述互连结构和所述 TSV由相同的导电材料形成，其中，所述互连结构包括铜，所述TSV包括 铜。

4.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述焊盘包括铝或铝 合金。

5.根据权利要求1所述的集成电路结构，还包括钝化层，形成在所述 半导体衬底和所述互连结构的所述上部之间，并且环绕所述互连结构的所 述下部，所述钝化层延伸到所述半导体衬底中，以对所述TSV的侧壁和底 部加衬。

6.根据权利要求5所述的集成电路结构，其中，所述钝化层包括两个 隔离层。

7.根据权利要求5所述的集成电路结构，其中，所述钝化层包括氧化 硅、氮化硅或它们的组合。

8.一种集成电路结构，包括：

半导体衬底；

低k介电层，在所述半导体衬底的上方；

金属线，形成在所述低k介电层中；

第一钝化层，形成在所述低k介电层上并露出所述金属线的一部分；

焊盘，形成在所述第一钝化层中以及所述金属线的露出部分上；

硅通孔TSV，穿过所述第一钝化层和所述低k介电层，并延伸到所述 半导体衬底中，其中，所述TSV与所述焊盘间隔开；以及

互连结构，形成在所述第一钝化层的上方，并电连接所述TSV和所述 焊盘；

其中，所述互连结构包括所述焊盘上的上部和与所述焊盘相邻的下部， 并且所述上部延伸以电连接所述TSV。

9.根据权利要求8所述的集成电路结构，其中，所述互连结构的所述 下部是环绕所述焊盘的环。

10.根据权利要求8所述的集成电路结构，其中，所述互连结构和所 述TSV由相同的导电材料形成，其中，所述互连结构包括铜，所述TSV 包括铜。

11.根据权利要求8所述的集成电路结构，其中，所述焊盘包括铝、 铜、铝合金或铜合金中的至少一种。

12.根据权利要求8所述的集成电路结构，还包括第二钝化层，形成 在所述第一钝化层和所述互连结构的所述上部之间，并且环绕所述互连结 构的所述下部。

13.根据权利要求12所述的集成电路结构，其中，所述第二钝化层延 伸，以对所述TSV的侧壁和底部加衬。

14.根据权利要求12所述的集成电路结构，其中，所述第二钝化层包 括氧化硅、氮化硅或它们的组合中的至少一种。

15.根据权利要求8所述的集成电路结构，其中，所述第一钝化层包 括氧化硅、氮化硅或它们的组合中的至少一种。