[发明专利]新型的多芯片LED封装结构及其加工方法无效

专利信息
申请号: 201010118190.9 申请日: 2010-03-04
公开(公告)号: CN101807568A 公开(公告)日: 2010-08-18
发明(设计)人: 卿晓辉;成军;徐文洪;乔乾 申请(专利权)人: 四川锦明光电股份有限公司
主分类号: H01L25/16 分类号: H01L25/16;H01L21/50;H01L33/52
代理公司: 四川省成都市天策商标专利事务所 51213 代理人: 马林中
地址: 610097 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 新型 芯片 led 封装 结构 及其 加工 方法
【权利要求书】:

1.一种多芯片LED封装结构,包括用于封装LED的基板(1),其特征在于: 所述的基板(1)的绝缘层被打磨掉,同时基板(1)上设置有多个用于容 留LED芯片(2)的容留凹槽(3),一个容留凹槽(3)里安装一个LED芯 片(2),在基板(1)表面设有印刷电路板,该电路板的结构是网状印刷电 路,所述的网状电路是指电路中各节点通过线路互联连接起来,并且每一 个节点至少与其他两个节点相连的电路,每个LED芯片(2)安装在网状印 刷电路板的每个节点上;印刷电路板还包括起保护作用的二极管电路部分, 每个LED芯片(2)的接线端分别与对应的印刷电路板导接形成回路,每个 LED芯片(2)上还有一封装透明体(4)。

2.如权利要求1所述的多芯片LED封装结构,其特征在于:所述的封装透明 体(4)为既起到保护作用又起到透镜作用的一次成形的硅胶。

3.如权利要求1所述的多芯片LED封装结构,其特征在于:所述的保护二极 管电路部分是在每个LED芯片(2)线路上并联一个齐纳二极管。

4.如权利要求1所述的多芯片LED封装结构,其特征在于:所述的保护二极 管电路部分是在整个网状印刷电路上并联一个齐纳二极管。

5.如权利要求1-4中任一所述的多芯片LED封装结构,其特征在于:容留凹 槽(3)的横截面形状为倒梯形,每个LED芯片(2)安装在容留凹槽(3) 的底部。

6.如权利要求5所述的多芯片LED封装结构,其特征在于:所述的基板(1) 为铜基板或铝基板。

7.一种加工如权利要求1-6中任一所述的多芯片LED封装结构的加工方法, 其特征在于,包括以下步骤:

步骤1,先利用铝基板和铜基板的普通生产工艺,在铜基板或者铝基板 上生成印刷电路板,同时生成保护作用的二极管电路部分;

步骤2,利用普通的加工中心,完成基板的成形加工,包括了LED芯片 的容留凹槽(3)的成形,提高了芯片侧面出光率;再将基板(1)的绝缘 层去除,降低芯片到散热系统热阻,密封系统的加工成形;

步骤3,对基板(1)的正面进行氧化处理,以保持反射界面的反射长效 性;

步骤4,在已经完成步骤3的基板(1)上进行多个LED芯片的焊接,打 线和点粉;

步骤5,采用半导体自动molding技术,利用精密半导体模具在每个LED 芯片上灌注封装透明体(4),既起到保护作用,又起到透镜作用。

8.如权利要求7所述的多芯片LED封装结构的加工方法,其特征在于:所述 的封装透明体(4)为硅胶。

9.如权利要求8所述的多芯片LED封装结构的加工方法,其特征在于:所述 的硅胶采用60吨的压力压铸成形使之与基板(1)的框架的结合紧密。

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