[发明专利]电子元件封装体及其制造方法

权利要求书

1.一种电子元件封装体，包括：

承载基板，包括接地区；

至少两个半导体芯片，设置于该承载基板的该接地区上，其中每一半导体芯片包括至少一信号垫及电连接至该接地区的至少一接地垫；

填充材料层，形成于该承载基板上并覆盖该多个半导体芯片；

保护层，覆盖该填充材料层；以及

多个导电凸块，设置于该保护层上，且电连接至该多个半导体芯片。

2.如权利要求1所述的电子元件封装体，其中该承载基板为硅基板，且该接地区为掺杂区，形成于该硅基板内并延伸至该硅基板表面。

3.如权利要求1所述的电子元件封装体，其中该接地区包括导电粘着材料层，用以将该多个半导体芯片贴附于该承载基板上。

4.如权利要求1所述的电子元件封装体，其中该接地区包括金属层。

5.如权利要求4所述的电子元件封装体，其中该承载基板为表面具有介电层的硅基板，且该金属层位于该介电层上方。

6.如权利要求1所述的电子元件封装体，还包括一重布局层，设置于该填充材料层内，以电连接于该接地区与每一半导体芯片的该接地垫之间。

7.如权利要求1所述的电子元件封装体，其中该承载基板还包括信号区电连接至该信号垫。

8.如权利要求7所述的电子元件封装体，其中该接地区及该信号区由同一金属层所构成。

9.如权利要求7所述的电子元件封装体，还包括二重布局层，设置于该填充材料层内，以分别电连接于该接地区与每一半导体芯片的该接地垫之间以及电连接于该信号区与该多个半导体芯片中至少一个的该信号垫之间。

10.如权利要求1所述的电子元件封装体，还包括一重布局层，设置于该填充材料层与该保护层之间，以电连接于每一半导体芯片的该信号垫与对应的该导电凸块之间。

11.一种电子元件封装体的制造方法，包括：

提供至少两个半导体芯片于一承载基板上，其中该承载基板包括一接地区，且每一半导体芯片包括至少一信号垫及至少一接地垫；

将每一半导体芯片的该接地垫电连接至该接地区；

在该承载基板上形成一填充材料层，并覆盖该多个半导体芯片；

在该填充材料层上覆盖一保护层；以及

在该保护层上形成多个导电凸块，且电连接至该多个半导体芯片。

12.如权利要求11所述的电子元件封装体的制造方法，其中该承载基板为一硅基板，且该接地区为一掺杂区，形成于该硅基板内并延伸至该硅基板表面。

13.如权利要求11所述的电子元件封装体的制造方法，其中该接地区包括一导电粘着材料层，用以将该多个半导体芯片贴附于该承载基板上。

14.如权利要求11所述的电子元件封装体的制造方法，该接地区包括一金属层。

15.如权利要求14所述的电子元件封装体的制造方法，其中该承载基板为表面具有一介电层的一硅基板，且该金属层位于该介电层上方。

16.如权利要求11所述的电子元件封装体的制造方法，其中通过在该填充材料层内形成一重布局层，以将每一半导体芯片的该接地垫电连接至该接地区。

17.如权利要求11所述的电子元件封装体的制造方法，其中该承载基板还包括一信号区。

18.如权利要求17所述的电子元件封装体的制造方法，还包括将该多个半导体芯片中至少一个的该信号垫电连接至该信号区。

19.如权利要求18所述的电子元件封装体的制造方法，其中通过在该填充材料层内形成二重布局层，以分别将每一半导体芯片的该接地垫电连接至该接地区以及将该多个半导体芯片中至少一个的该信号垫电连接至该信号区。

20.如权利要求17所述的电子元件封装体的制造方法，其中该接地区及该信号区由同一金属层所构成。

21.如权利要求11所述的电子元件封装体的制造方法，还包括在该填充材料层与该保护层之间形成一重布局层，以电连接于每一半导体芯片的该信号垫与对应的该导电凸块之间。