[发明专利]集成电路装置及其形成方法

权利要求书

1.一种形成集成电路装置的方法，包括：

提供一半导体基底；

在该半导体基底上形成一栅极结构；

通过注入一择自由铟与锑所构成的群组的第一元素至邻接该栅极结构的 半导体基底的顶部分进行预先非结晶化注入；以及

在进行该预先非结晶化注入的步骤之后，注入一不同于该第一元素的第二 元素至该半导体基底的顶部分中，其中当该第一元素包括铟时，该第二元素包 括一p型元素，且其中当该第一元素包括锑时，该第二元素包括一n型元素；

其中当该第一元素包括铟时，该第二元素包括硼，而当该第一元素包括锑 时，该第二元素包括磷。

2.根据权利要求1所述的形成集成电路装置的方法，其中该第一元素的 一第一剂量小于该第二元素的一第二剂量一个等级。

3.根据权利要求1所述的形成集成电路装置的方法，其中该第二元素的 四键原子半径小于该第一元素的四键原子半径。

4.一种形成集成电路装置的方法，包括：

提供一半导体基底；

在该半导体基底上形成一栅极结构；

通过注入一择自由铟与锑所构成的群组的第一元素至邻接该栅极结构的 半导体基底的顶部分进行预先非结晶化注入；以及

在进行该预先非结晶化注入的步骤之后，注入一不同于该第一元素的第二 元素至该半导体基底的顶部分中，其中该第二元素的一第二深度不大于该第一 元素的一第一深度；

其中当该第一元素包括铟时，该第二元素包括硼，而当该第一元素包括锑 时，该第二元素包括磷。

5.根据权利要求4所述的形成集成电路装置的方法，在进行该预先非结 晶化注入的步骤期间，该半导体基底的顶部分从结晶态转变成非结晶态。

6.根据权利要求4所述的形成集成电路装置的方法，其中该第一元素的 一第一剂量小于该第二元素的一第二剂量一个等级。

7.根据权利要求4所述的形成集成电路装置的方法，其中该第二元素的 四键原子半径小于该第一元素的四键原子半径，并小于该半导体基底的四键原 子半径。

8.一种形成集成电路装置的方法，包括：

提供一包括NMOS区域与PMOS区域的半导体基底；

在该半导体基底的NMOS区域上形成一第一栅极结构；

在该半导体基底的PMOS区域上形成一第二栅极结构；

通过注入一第一元素至该半导体基底的NMOS区域中进行第一预先非结 晶化注入；以及

通过注入一不同于该第一元素的第二元素至该半导体基底的PMOS区域 中进行第二预先非结晶化注入；

其中，该第一元素包括锑，且该第二元素包括铟；

并且，在进行该第一预先非结晶化注入的步骤之后，注入磷至该半导体基 底的NMOS区域中以形成一第一源极/漏极延伸区域；以及

在进行该第二预先非结晶化注入的步骤之后，注入硼至该半导体基底的 PMOS区域中以形成一第二源极/漏极延伸区域。

9.根据权利要求8所述的形成集成电路装置的方法，其中硼的注入剂量 大于铟的注入剂量，且其中磷的注入剂量大于锑的注入剂量。

10.根据权利要求8所述的形成集成电路装置的方法，其中硼注入的 深度小于铟的深度，且其中磷注入的深度小于锑的深度。