[发明专利]抗高温整流芯片

说明书

技术领域

本发明涉及电子元器件技术领域，具体地说是一种抗高温整流芯片。

背景技术

随着科学技术的不断进步，电子产品越来越向小型化、超薄式方向发展，并且其所应用的领域也越来越广。对此，不仅需要电子元器件的体积在能够保证使用功率和使用寿命的前提下越小越好，而且需要电子元器件能够适应在不同环境温度下的正常工作，以充分满足电子产品长期工作的可靠性、稳定性和耐高温性。

目前，广泛应用在电子产品当中的整流器件由于其结构所致，它在工作时存在以下缺陷：

一、因整流芯片周围仅靠附着的玻璃钝化层来对其进行绝缘保护，所以整流芯片在工作时，其PN结处所产生的反向电荷会聚集在PN结附近，使得PN结处的电场密度和反向漏电流逐渐增大，其后果容易引起整流芯片的工作温度越来越高，由此，它不仅无法适应在高温环境下工作、无法增大使用功率，而且容易导致被反向电流击穿损毁；

二、因玻璃钝化层下端与整流基材下部的平台周边之间无间距，所以在对整流芯片进行后期处理时，切割刀具需要对平台的周边部位进行切割，其容易造成对玻璃钝化层的损伤或损毁，由此破坏了绝缘保护而容易导致整流芯片的损毁。

三、因玻璃钝化层上无完整的保护层，在对上金属层上进行焊接引线时，处于高温的焊锡则与玻璃钝化层相直接接触，由此容易造成对玻璃钝化层的损伤或损毁。

综上所述，如何能够减少整流芯片在工作时的自身发热量，有效提高整流芯片的抗高温能力，以增大整流器的使用功率和使用寿命，并能够确保对整流芯片起到绝缘保护的玻璃钝化层不会被损伤或损毁，是目前在电子元器件研究方面有待解决的一大难题。

发明内容

本发明的目的是提供一种抗高温整流芯片，它能够解决现有技术存在的无法适应在高温环境下工作、无法增大使用功率，以及容易损伤或损毁绝缘保护的问题。

本发明的目的是通过以下技术方案实现的：抗高温整流芯片，它包括整流基材，整流基材的顶端面上附着上金属层，整流基材的底端面上附着下金属层，整流基材上附着有半绝缘多晶硅膜，玻璃钝化层附着在半绝缘多晶硅膜上，绝缘膜分别附着在玻璃钝化层及半绝缘多晶硅膜上。

为进一步实现本发明的目的，还可通过以下技术方案来完成：整流基材由上部呈矩形的凸块和下部呈矩形板状的平台组成，凸块设置在平台的居中位置上，凸块的四周表面由上到下呈弧形状，上金属层的周边与凸块顶端面的周边之间有第一间距，凸块的底部周边与平台的顶端面周边之间有第二间距；

半绝缘多晶硅膜的上下部分别有内折弯部分和外折弯部分，半绝缘多晶硅膜附着在凸块的四周表面上，内折弯部分附着在凸块顶端面的第一间距上，并与上金属层相对应粘接，外折弯部分附着在平台顶端面的第二间距上；

玻璃钝化层附着在半绝缘多晶硅膜上，玻璃钝化层的上端附着在内折弯部分上，玻璃钝化层的上端与内折弯部分的内周边之间有第三间距；玻璃钝化层的下端附着在外折弯部分上，玻璃钝化层的下端与外折弯部分的外周边之间有第四间距；

绝缘膜附着在玻璃钝化层上，绝缘膜的首端附着在内折弯部分的第三间距上，绝缘膜的末端附着在外折弯部分的第四间距上。

本发明能够产生的有益效果：因凸块及平台上分别附着有半绝缘多晶硅膜，所以半绝缘多晶硅膜能够将聚集在PN结附近的反向电荷均匀分散到凸块周围及平台上，以此有效抑制了PN结处电场密度和反向漏电流的增大，故从根本上降低了整流芯片的自身发热量，它不仅能够提高整流芯片的抗高温能力，而且能够有效增大整流芯片的使用功率和使用寿命；

因玻璃钝化层的下端与平台周边之间有间距，并且玻璃钝化层的下端被半绝缘多晶硅膜和绝缘膜所完整包容，所以在对整流芯片进行后期处理时，切割刀具切割的平台周边部位与玻璃钝化层有着一定的间距，故从根本上避免了切割刀具对玻璃钝化层的损伤或损毁；

因玻璃钝化层的上端同样被半绝缘多晶硅膜和绝缘膜所完整包容，所以在对上金属层进行焊接引线时，能够有效避免处于高温的焊锡对玻璃钝化层的损伤或损毁。

本发明广泛应用在电子元器件行业，能够产生明显的社会、经济效益。

附图说明

图1为本发明的结构示意图。

具体实施方式