[发明专利]一种废弃芯片单元回收利用方法有效
申请号: | 201010113260.1 | 申请日: | 2010-02-24 |
公开(公告)号: | CN102163537A | 公开(公告)日: | 2011-08-24 |
发明(设计)人: | 吴圣娟;冯婧;严大生 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/60 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 20120*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 废弃 芯片 单元 回收 利用 方法 | ||
1.一种废弃芯片单元回收利用方法,用于对半导体存储器中的因数据线结构限制而废弃的芯片单元进行回收利用,其特征在于,所述方法包括如下步骤:
选取引线框架,所述引线框架的引脚数量大于所述废弃芯片单元中的焊点数量;
将所述废弃芯片单元封装至所述引线框架,并将所述废弃芯片单元上的预留焊点电连接至所述引线框架中未使用的引脚;
通过连接所述预留焊点的引脚对所述废弃芯片单元施加转换电压,将所述废弃芯片单元的数据线结构转换为目标数据线结构。
2.如权利要求1所述的废弃芯片单元回收利用方法,其特征在于,所述方法还包括:对所述经过回收的废弃芯片单元进行电压、电流的测试和功能性的测试,判断经过转换的数据线结构是否符合目标数据线结构。
3.如权利要求1所述的一种废弃芯片单元回收利用方法,其特征在于,所述通过连接所述预留焊点的引脚对所述废弃芯片单元施加转换电压,将所述废弃芯片单元的数据线结构转换为目标数据线结构包括以下步骤:
对所述废弃芯片单元进行断路/短路测试和功能性测试,选出性能符合要求的废弃芯片单元;
对所述废弃芯片单元进行信号输入,用数字脉冲控制所述信号输入,并在与所述预留焊点相连接的引脚上加7V~9V的高电压脉冲信号,实现所述废弃芯片单元数据线结构的转化;
对所述预留焊点相连接的引脚降压;
对数据线结构转换后的所述废弃芯片单元的数据线进行功能测试。
4.如权利要求1所述的一种废弃芯片单元回收利用方法,其特征在于,所述废弃芯片单元的型号为4根数据线的DDRI 512Mbit。
5.如权利要求1所述的一种废弃芯片单元回收利用方法,其特征在于,所述引线框架的型号为16根数据线的DDRI 512Mbit。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造