[发明专利]半导体装置

说明书

相关申请的交叉引用

本申请案主张2009年7月1日申请的韩国专利申请案第10-2009-0059827号的优先权，该案的全文以引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明涉及一种半导体设计技术，且尤其涉及一种半导体装置的熔丝电路。

背景技术

半导体装置包括熔丝电路，熔丝电路用于设置内部电路、用于改变内部电路的选项或用于编程修复地址。通过经熔丝编程改变熔丝电路中的熔丝的电连接状态，来改变预定设置信息或储存地址。当激光束或电应力施加至熔丝时，熔丝的电连接状态改变。意即，若激光束或电应力施加至熔丝，则熔丝的电阻改变。因此，使用熔丝的电连接状态(诸如，短路状态或开路状态)的变化来编程预定数据。

激光烧断型(blowing type)熔丝使用激光束使熔丝的电连接状态成为短路状态。激光烧断型熔丝一般称为物理熔丝(physical fuse)。物理熔丝在晶片阶段中使用激光束改变其电连接状态。此处，晶片阶段为在将半导体装置制造为封装之前的制造阶段。物理熔丝可称为激光熔丝。

在封装阶段中，使用电方法来代替使用物理方法，该物理方法使用激光束。将可在封装阶段中编程的熔丝称为电熔丝(E-Fuse)。意即，通过施加诸如过电流或高电压的电应力来改变熔丝的电连接状态，电熔丝改变编程。可将电熔丝分类成反型(anti-type)熔丝和烧断型熔丝。反型熔丝将电连接状态自开路状态改变成短路状态，且烧断型熔丝将电连接状态自短路状态改变成开路状态。电熔丝广泛地用于封装阶段中，因为电熔丝可在封装工艺之后编程。然而，电熔丝在大小上与物理熔丝相比非常大且需要用于控制熔丝的控制电路。因此，电熔丝在应用范围上及设置能力上受限。

因此，需要开发类似物理熔丝具有小尺寸且类似电熔丝具有甚至在封装之后仍可实施修复工艺的能力的熔丝。

发明内容

本发明的实施例针对一种具有插入于接触孔中的接触熔丝(contactfuse)的半导体装置。

根据本发明的一个实施例，一种半导体装置包括：第一传输线及第二传输线，第一传输线及第二传输线位于不同层处；接触熔丝，其与第一传输线及第二传输线耦接；电源驱动器，其被配置成将电应力施加至接触熔丝；及熔丝状态输出单元，其被配置成输出具有与接触熔丝的电连接状态相对应的逻辑电平的熔丝状态信号。

根据本发明的另一实施例，一种半导体装置包括：第一传输线；第二传输线；接触熔丝，其与第一传输线及第二传输线耦接；第一信号驱动器，其被配置成将输入信号驱动至第一传输线；第二信号驱动器，其被配置成将输入信号驱动至位于与第一传输线的层不同的层处的第二传输线；及电源驱动器，其被配置成通过将电应力施加至接触熔丝而改变接触熔丝的电连接状态。

根据本发明的又一实施例，一种半导体装置包括：第一传输线；第二传输线；主传输线，其位于与第一传输线及第二传输线的层不同的层处；第一接触熔丝，其与第一传输线及主传输线耦接；第二接触熔丝，其与第二传输线及主传输线耦接；第一信号驱动器，其被配置成将输入信号驱动至第一传输线；第二信号驱动器，其被配置成将输入信号驱动至第二传输线；及电源驱动器，其被配置成通过将电应力选择性地施加至作为被选接触熔丝的、第一接触熔丝及第二接触熔丝中的一个而改变所选择的被选接触熔丝的电连接状态。

根据本发明的再一实施例，一种半导体装置包括：第一传输线及第二传输线；激光熔丝，其位于与第一传输线及第二传输线的层不同的层处；接触熔丝，其被配置成连接第一传输线与激光熔丝的一端；连接线，其被配置成连接第二传输线与激光熔丝的另一端；电源驱动器，其被配置成将电应力选择性地施加至接触熔丝；及熔丝状态输出单元，其被配置成输出具有与接触熔丝的电连接状态对应的逻辑电平的熔丝状态信号。

根据本发明的又一实施例，一种半导体装置包括：第一传输线、第二传输线及第三传输线；激光熔丝，其位于与第一传输线、第二传输线及第三传输线的层不同的层处；第一接触熔丝，其被配置成连接第一传输线与激光熔丝的一端；第二接触熔丝，其被配置成连接第二传输线与激光熔丝的另一端；连接线，其耦接于第三传输线与激光熔丝的一端之间或第三传输线与激光熔丝的另一端之间；电源驱动器，其被配置成将电应力选择性地施加至第一接触熔丝及第二接触熔丝中的一个；及熔丝状态输出单元，其被配置成输出具有与第一接触熔丝及第二接触熔丝的电连接状态相对应的逻辑电平的熔丝状态信号。

附图说明

图1示出根据本发明的第一实施例的半导体装置的图10A及等效电路图10B；