[发明专利]半导体装置有效
| 申请号: | 201010112706.9 | 申请日: | 2010-02-04 |
| 公开(公告)号: | CN101944524A | 公开(公告)日: | 2011-01-12 |
| 发明(设计)人: | 辛尚勋;李炯东;崔俊基 | 申请(专利权)人: | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/525 | 分类号: | H01L23/525;G11C17/18 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 杨林森;康建峰 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,其包括:
位于不同层处的第一传输线和第二传输线;
接触熔丝,其与第一传输线及第二传输线耦接;
电源驱动器,其被配置成将电应力施加至所述接触熔丝;及
熔丝状态输出单元,其被配置成输出具有与所述接触熔丝的电连接状态相对应的逻辑电平的熔丝状态信号。
2.如权利要求1的半导体装置,其中所述接触熔丝包括在配置成连接第一传输线与第二传输线的接触孔上形成的熔丝。
3.如权利要求1的半导体装置,其中第一传输线及第二传输线为金属线。
4.如权利要求1的半导体装置,其中所述电源驱动器包括配置成响应于应力电流驱动信号及熔丝选择信号将应力电流施加至所述接触熔丝的电流驱动器。
5.如权利要求1的半导体装置,其中所述熔丝状态输出单元包括:
熔丝驱动器,其被配置成响应于熔丝驱动信号及熔丝选择信号将驱动电流提供至所述接触熔丝;及
锁存单元,其被配置成锁存与经由所述接触熔丝传送的电流的量值相对应的熔丝状态信号。
6.一种半导体装置,其包括:
第一传输线;
第二传输线;
接触熔丝,其与第一传输线及第二传输线耦接;
第一信号驱动器,其被配置成将输入信号驱动至第一传输线;
第二信号驱动器,其被配置成将输入信号驱动至位于与第一传输线的层不同的层处的第二传输线;及
电源驱动器,其被配置成通过将电应力施加至所述接触熔丝而改变所述接触熔丝的电连接状态。
7.如权利要求6的半导体装置,其中所述接触熔丝包括在用于连接第一传输线与第二传输线的接触孔上形成的熔丝。
8.如权利要求6的半导体装置,其中第一传输线及第二传输线为金属线。
9.如权利要求6的半导体装置,其中所述电源驱动器包括被配置成响应于应力电流驱动信号而将应力电流施加至所述接触熔丝的电流驱动器。
10.一种半导体装置,其包括:
第一传输线;
第二传输线;
主传输线,其位于与第一传输线及第二传输线的层不同的层处;
第一接触熔丝,其与第一传输线及主传输线耦接;
第二接触熔丝,其与第二传输线及主传输线耦接;
第一信号驱动器,其被配置成将输入信号驱动至第一传输线;
第二信号驱动器,其被配置成将输入信号驱动至第二传输线;及
电源驱动器,其被配置成通过将电应力选择性地施加至作为被选接触熔丝的、第一接触熔丝和第二接触熔丝中的一个而改变所述被选接触熔丝的电连接状态。
11.如权利要求10的半导体装置,其中第一信号驱动器和第二信号驱动器具有不同的内部延迟值。
12.如权利要求10的半导体装置,其中第一接触熔丝包括在用于连接第一传输线与主传输线的接触孔上形成的熔丝。
13.如权利要求12的半导体装置,其中第二接触熔丝包括在用于连接第二传输线与主传输线的接触孔上形成的熔丝。
14.如权利要求10的半导体装置,其中第一传输线、第二传输线及主传输线为金属线。
15.如权利要求10的半导体装置,其中所述电源驱动器包括被配置成响应于应力电流驱动信号、第一熔丝选择信号及第二熔丝选择信号将应力电流供应至所选择的接触熔丝的电流驱动器。
16.一种半导体装置,其包括:
第一传输线及第二传输线;
激光熔丝,其位于与第一传输线及第二传输线的层不同的层处;
接触熔丝,其被配置成连接第一传输线与所述激光熔丝的一端;
连接线,其被配置成连接第二传输线与所述激光熔丝的另一端;
电源驱动器,其被配置成将电应力选择性地施加至所述接触熔丝;及
熔丝状态输出单元,其被配置成输出具有与所述接触熔丝的电连接状态相对应的逻辑电平的熔丝状态信号。
17.如权利要求16的半导体装置,其中所述接触熔丝包括在用于连接第一传输线与所述激光熔丝的一端的接触孔上形成的熔丝。
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