[发明专利]固态摄像装置、其驱动方法以及电子装置无效

专利信息
申请号: 201010110917.9 申请日: 2010-01-25
公开(公告)号: CN101794803A 公开(公告)日: 2010-08-04
发明(设计)人: 神户秀夫 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: H01L27/148 分类号: H01L27/148;H04N3/15;H04N5/335
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 余刚;吴孟秋
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 固态 摄像 装置 驱动 方法 以及 电子
【权利要求书】:

1.一种固态摄像装置,包括:

多个感光单元;

多个垂直转移寄存器,包括转移沟道区域和多个垂直转 移电极;

第一沟道停止区域,平行于所述垂直转移寄存器的所述 转移沟道区域而设置;以及

第二沟道停止区域,分离垂直方向上彼此相邻的所述感 光单元,

其中,在所述垂直转移电极中,用作读取电极的垂直转 移电极形成为不与所述第一沟道停止区域以及所述第二沟道 停止区域重叠。

2.根据权利要求1所述的固态摄像装置,还包括:

所述多个垂直转移电极,由单层多晶硅膜形成;以及

栅极绝缘层,具有均匀的厚度并且形成在所述多个垂直 转移电极的下方。

3.根据权利要求2所述的固态摄像装置,其中,当用作所述读取 电极的所述垂直转移电极的边缘部的硅表面的局部电场等于 或小于60V/μm时,将信号电荷从所述感光单元读取至所述 垂直转移寄存器,所述局部电场通过所述栅极绝缘层的厚度和 读取电压而感生。

4.根据权利要求2所述的固态摄像装置,其中,三个垂直转移电 极与相应于单位像素的所述感光单元相对应,所述三个垂直转 移电极中位于所述感光单元侧面的中间电极用作所述读取电 极,而所述三个垂直转移电极中不用作所述读取电极的另外的 电极与所述第一沟道停止区域重叠。

5.根据权利要求2所述的固态摄像装置,其中,三个垂直转移电 极与相应于单位像素的所述感光单元相对应,所述三个垂直转 移电极中位于所述感光单元侧面的一个电极用作所述读取电 极,而所述三个垂直转移电极中不用作所述读取电极的另外的 电极的宽度在面向用作所述读取电极的所述垂直转移电极的 部分处是相同的,并且从所述部分逐渐变宽。

6.根据权利要求1所述的固态摄像装置,其中,在所述第一沟道 停止区域与所述转移沟道区域之间形成间隙。

7.根据权利要求2所述的固态摄像装置,其中,在所述第一沟道 停止区域与所述转移沟道区域之间形成间隙。

8.根据权利要求3所述的固态摄像装置,其中,在所述第一沟道 停止区域与所述转移沟道区域之间形成间隙。

9.根据权利要求4所述的固态摄像装置,其中,在所述第一沟道 停止区域与所述转移沟道区域之间形成间隙。

10.根据权利要求5所述的固态摄像装置,其中,在所述第一沟道 停止区域与所述转移沟道区域之间形成间隙。

11.一种固态摄像装置的驱动方法,包括以下步骤:

使用固态摄像装置,在所述固态摄像装置中,垂直转移 寄存器的多个垂直转移电极中被施加读取电压的一个电极形 成为不与平行于转移沟道区域而设置的沟道停止区域重叠;

将被施加所述读取电压的所述垂直转移电极的边缘部与 所述沟道停止区域之间的局部电场设置为等于或小于60 V/μm,所述局部电场通过所述垂直转移寄存器的栅极绝缘层 的厚度和所述读取电压而感生;以及

通过将所述读取电压施加至所述垂直转移电极,将信号 电荷从感光单元读取至所述垂直转移寄存器。

12.一种电子装置,包括:

光学透镜;

固态摄像装置;以及

信号处理电路,处理所述固态摄像装置的输出信号,

其中,所述固态摄像装置包括:

多个感光单元;

多个垂直转移寄存器,包括由单层多晶硅膜形成的多个 垂直转移电极,所述垂直转移电极经由转移沟道区域和具有均 匀厚度的栅极绝缘层形成;

第一沟道停止区域,平行于所述垂直转移寄存器的所述 沟道区域而设置;以及

第二沟道停止区域,分离在垂直方向上彼此相邻的所述 感光单元;

其中,在所述垂直转移电极之中,用作读取电极的垂直 转移电极形成为不与所述第一沟道停止区域和所述第二沟道 停止区域重叠,并且当用作所述读取电极的所述垂直转移电极 的边缘部的硅表面的局部电场等于或小于60V/μm时,将信 号电荷从所述感光单元读取至所述垂直转移寄存器,所述局部 电场通过所述栅极绝缘层的厚度和读取电压而感生。

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