[发明专利]固态摄像装置、其驱动方法以及电子装置无效
申请号: | 201010110917.9 | 申请日: | 2010-01-25 |
公开(公告)号: | CN101794803A | 公开(公告)日: | 2010-08-04 |
发明(设计)人: | 神户秀夫 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/148 | 分类号: | H01L27/148;H04N3/15;H04N5/335 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 摄像 装置 驱动 方法 以及 电子 | ||
1.一种固态摄像装置,包括:
多个感光单元;
多个垂直转移寄存器,包括转移沟道区域和多个垂直转 移电极;
第一沟道停止区域,平行于所述垂直转移寄存器的所述 转移沟道区域而设置;以及
第二沟道停止区域,分离垂直方向上彼此相邻的所述感 光单元,
其中,在所述垂直转移电极中,用作读取电极的垂直转 移电极形成为不与所述第一沟道停止区域以及所述第二沟道 停止区域重叠。
2.根据权利要求1所述的固态摄像装置,还包括:
所述多个垂直转移电极,由单层多晶硅膜形成;以及
栅极绝缘层,具有均匀的厚度并且形成在所述多个垂直 转移电极的下方。
3.根据权利要求2所述的固态摄像装置,其中,当用作所述读取 电极的所述垂直转移电极的边缘部的硅表面的局部电场等于 或小于60V/μm时,将信号电荷从所述感光单元读取至所述 垂直转移寄存器,所述局部电场通过所述栅极绝缘层的厚度和 读取电压而感生。
4.根据权利要求2所述的固态摄像装置,其中,三个垂直转移电 极与相应于单位像素的所述感光单元相对应,所述三个垂直转 移电极中位于所述感光单元侧面的中间电极用作所述读取电 极,而所述三个垂直转移电极中不用作所述读取电极的另外的 电极与所述第一沟道停止区域重叠。
5.根据权利要求2所述的固态摄像装置,其中,三个垂直转移电 极与相应于单位像素的所述感光单元相对应,所述三个垂直转 移电极中位于所述感光单元侧面的一个电极用作所述读取电 极,而所述三个垂直转移电极中不用作所述读取电极的另外的 电极的宽度在面向用作所述读取电极的所述垂直转移电极的 部分处是相同的,并且从所述部分逐渐变宽。
6.根据权利要求1所述的固态摄像装置,其中,在所述第一沟道 停止区域与所述转移沟道区域之间形成间隙。
7.根据权利要求2所述的固态摄像装置,其中,在所述第一沟道 停止区域与所述转移沟道区域之间形成间隙。
8.根据权利要求3所述的固态摄像装置,其中,在所述第一沟道 停止区域与所述转移沟道区域之间形成间隙。
9.根据权利要求4所述的固态摄像装置,其中,在所述第一沟道 停止区域与所述转移沟道区域之间形成间隙。
10.根据权利要求5所述的固态摄像装置,其中,在所述第一沟道 停止区域与所述转移沟道区域之间形成间隙。
11.一种固态摄像装置的驱动方法,包括以下步骤:
使用固态摄像装置,在所述固态摄像装置中,垂直转移 寄存器的多个垂直转移电极中被施加读取电压的一个电极形 成为不与平行于转移沟道区域而设置的沟道停止区域重叠;
将被施加所述读取电压的所述垂直转移电极的边缘部与 所述沟道停止区域之间的局部电场设置为等于或小于60 V/μm,所述局部电场通过所述垂直转移寄存器的栅极绝缘层 的厚度和所述读取电压而感生;以及
通过将所述读取电压施加至所述垂直转移电极,将信号 电荷从感光单元读取至所述垂直转移寄存器。
12.一种电子装置,包括:
光学透镜;
固态摄像装置;以及
信号处理电路,处理所述固态摄像装置的输出信号,
其中,所述固态摄像装置包括:
多个感光单元;
多个垂直转移寄存器,包括由单层多晶硅膜形成的多个 垂直转移电极,所述垂直转移电极经由转移沟道区域和具有均 匀厚度的栅极绝缘层形成;
第一沟道停止区域,平行于所述垂直转移寄存器的所述 沟道区域而设置;以及
第二沟道停止区域,分离在垂直方向上彼此相邻的所述 感光单元;
其中,在所述垂直转移电极之中,用作读取电极的垂直 转移电极形成为不与所述第一沟道停止区域和所述第二沟道 停止区域重叠,并且当用作所述读取电极的所述垂直转移电极 的边缘部的硅表面的局部电场等于或小于60V/μm时,将信 号电荷从所述感光单元读取至所述垂直转移寄存器,所述局部 电场通过所述栅极绝缘层的厚度和读取电压而感生。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司,未经索尼公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010110917.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:化合物半导体器件及其制造方法
- 下一篇:固态图像拾取元件及其驱动方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的