[发明专利]导线架及其制造方法与封装结构的制造方法有效

专利信息
申请号: 201010107079.X 申请日: 2010-01-22
公开(公告)号: CN101859734A 公开(公告)日: 2010-10-13
发明(设计)人: 张简宝徽;胡平正;江柏兴;郑维伦 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L23/12 分类号: H01L23/12;H01L23/495;H01L21/60;H01L23/31
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 邱军
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 导线 及其 制造 方法 封装 结构
【权利要求书】:

1.一种先进四方扁平无引脚封装结构的制作方法,包括:

提供金属载板,该金属载板具有上表面与下表面,且该金属载板的该上表面配置有第一金属层,该金属载板的该下表面配置有第二金属层,并以该第一金属层为掩模进行第一蚀刻工艺图案化该金属载板的该上表面,以形成至少一容置凹槽与多个第一开口,以及通过预切割工艺图案化该金属载板的该下表面,以形成多个预切割开口;

提供芯片至该金属载板的该容置凹槽中;

形成多条连接于该芯片与该第一金属层之间的导线;

于该金属载板上形成封装胶体,以包覆该芯片、该多条导线与该第一金属层,并填满该容置凹槽与该多个第一开口;以及

以位于该金属载板的该下表面的该第二金属层为掩模,对该金属载板的该下表面进行第二蚀刻工艺,以通过蚀刻该多个预切割开口以及更蚀穿该金属载板直到填在该多个第一开口中的该封装胶体暴露出来的方式形成多个第二开口,从而形成多个引脚与芯片垫。

2.如权利要求1所述的先进四方扁平无引脚封装结构的制作方法,其中该第二蚀刻工艺为各向同性蚀刻工艺,且该第一蚀刻工艺为各向同性蚀刻工艺。

3.如权利要求2所述的先进四方扁平无引脚封装结构的制作方法,还包括:

在第一蚀刻工艺之后,对该金属载板的该上表面进行水刀工艺。

4.如权利要求1所述的先进四方扁平无引脚封装结构的制作方法,其中该预切割工艺为激光切割工艺、刀切工艺或电弧切割工艺。

5.如权利要求1所述的先进四方扁平无引脚封装结构的制作方法,其中该预切割开口的底部是平坦的或是U形的。

6.如权利要求1所述的先进四方扁平无引脚封装结构的制作方法,其中该预切割开口的深度约为该金属载板的厚度的0.2倍至0.4倍。

7.如权利要求1所述的先进四方扁平无引脚封装结构的制作方法,其中该预切割开口的宽度约为该多个第二开口的宽度的50%至100%。

8.如权利要求1所述的先进四方扁平无引脚封装结构的制作方法,其中该第一金属层与该第二金属层的形成方法包括电镀。

9.如权利要求1所述的先进四方扁平无引脚封装结构的制作方法,还包括:

在提供该芯片之前,在该容置凹槽中形成粘着层。

10.一种导线架的制作方法,包括:

提供金属载板,该金属载板具有上表面与下表面;

在该金属载板的该上表面与该下表面上分别形成第一金属层与第二金属层,且该第二金属层具有多个开口;

以该第一金属层为蚀刻掩模,对该金属载板的该上表面进行蚀刻工艺,以形成至少一容置凹槽与多个内引脚,多个位于该多个内引脚之间的第一开口定义出该多个内引脚;以及

通过该多个开口对该金属载板的该下表面进行预切割工艺,以形成多个预切割开口。

11.如权利要求10所述的导线架的制作方法,其中该蚀刻工艺为各向同性蚀刻工艺。

12.如权利要求11所述的导线架的制作方法,还包括:

在该蚀刻工艺之后,对该金属载板的该上表面进行水刀工艺。

13.如权利要求10所述的导线架的制作方法,其中该预切割工艺为激光切割工艺、刀切工艺或电弧切割工艺。

14.如权利要求10所述的导线架的制作方法,其中该预切割开口的底部是平坦的或是U形的。

15.如权利要求10所述的导线架的制作方法,其中该预切割开口的深度约为该金属载板的厚度的0.2倍至0.4倍。

16.如权利要求10所述的导线架的制作方法,其中该预切割开口的宽度约为该开口的宽度的50%至100%。

17.一种导线架,包括:

金属载板,具有上表面与下表面,且该金属载板的该上表面配置有第一金属层,该金属载板的该下表面配置有第二金属层,该第二金属层具有多个开口,其中该金属载板的该上表面包括至少一容置凹槽与多个第一开口,且该金属载板的该下表面包括多个预切割开口。

18.如权利要求17所述的导线架,其中该预切割开口的底部是平坦的或是U形的。

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