[发明专利]一种长寿命SiC发热元件的制备方法无效
| 申请号： | 201010104213.0 | 申请日： | 2010-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN101765253A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 金志浩;李红伟;杨万利;乔冠军;金海云 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H05B3/14 | 分类号： | H05B3/14;C04B35/565;C04B35/622;C04B37/02 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 朱海临 |
| 地址： | 710049*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 寿命 sic 发热 元件 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种长寿命SiC发热元件的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：
(1)发热部的制备：将下述组分按质量百分比配料：SiC，75～90％； Al2O3，1～5％；ZrO2，1～5％；SiO2，1～3％；Si，4～10％；C，1～5％；采用挤 压成型工艺制成空心管；80～300℃烘干；氮气保护，1550～1650℃烧成，切 割、检验电阻值后备用；
(2)冷端部的制备：将下述组分按质量百分比配料：SiC，70～90％，Ni， 1～5％；Mo，1～5％；Ti，1～5％；TiC，1～5％；Si，5～10％；C，1～5％；采 用与步骤(1)相同的成型与烧结工艺烧成，切割、检验电阻值后备用；
(3)焊接：发热部的两端焊接上冷端部，完成整体发热元件的制备，其 中发热部与冷端部的电阻比选择在15～20，焊接温度为1500～1600℃。
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