[发明专利]处理基板的设备和方法

说明书

相关申请的交叉参考

该美国非临时专利申请根据35U.S.C.§119要求申请日为2009年1月 30日、申请号10-2009-0007629和申请日为2009年3月31日、申请号10- 2009-0027375的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

背景技术

本发明涉及一种处理基板的设备和方法，尤其涉及一种用于执行晶片的光 刻工艺(photolithography process)的设备和方法。

为制造半导体装置，要执行多种工艺，例如清洗工艺，沉积工艺，光刻工 艺，蚀刻工艺，离子灌输工艺等等。用于形成图案的照相制版工艺(photography process)在半导体装置的高度集成中起着重要的作用。

通常，用于执行光刻工艺的系统包括：用于在晶片上涂覆抗蚀剂的涂覆单 元，用于为已经经过曝光工艺处理的晶片执行显影工艺的显影单元，和具有用 于与曝光设备内连的连接端口的处理模块。近年来，除了上述工艺外，在曝光 工艺之前和之后还要求执行许多其他的工艺。根据一个典型的设备，无效率地 设置了用于执行各自的工艺的室和回程机械手，这样就不能提供对回程机械手 的有效地调度。

发明内容

本发明提供了一种处理基板的设备和方法，该设备和方法能提高照相制版 工艺的效率。

本发明还提供了一种处理基板的设备和方法，该设备和方法能防止可能由 传送机械手处理数量的增加而导致的工艺拥塞。

本发明还提供了一种处理基板的设备，该设备具有能够有效地设置执行工 艺的室结构布局。

本发明的目的不局限于以上所述，通过以下描述，本领域技术人员也可显 然地理解本发明的其他目的。

本发明实施例提供处理基板的设备，包括：装载端口，在所述装载端口中 设置有用于接收基板的容器；第一缓冲模块，具有用于临时存储所述基板的缓 冲器；移送模块，用于在所述装载端口和所述第一缓冲模块之间传送所述基板； 涂覆/显影模块，用于执行基板的光致抗蚀剂涂覆工艺和显影工艺；第二缓冲模 块，具有用于临时存储所述基板的缓冲器；预曝光/后曝光处理模块，用于在所 述光致抗蚀剂涂覆工艺和曝光工艺之间、所述曝光工艺和所述显影工艺之间执 行对基板的处理；以及接口模块，与曝光单元连接。所述装载端口，所述移送 模块，所述第一缓冲模块，所述涂覆/显影模块，所述第二缓冲模块，所述预曝 光/后曝光处理模块，以及所述接口模块沿着第一方向排列成一条线。所述预曝 光/后曝光处理模块可包括用于在所述基板上涂覆保护层的保护层涂覆室。所述 预曝光/后曝光处理模块可进一步包括用于清洗所述基板的清洗室。

在一些实施例中，所述预曝光/后曝光处理模块可包括设置于不同层的预处 理模块和后处理模块。所述保护层涂覆室可设置在所述预处理模块内，所述清 洗室可设置在所述后处理模块内。另外，所述预处理模块可进一步包括用于执 行基板的烘焙工艺的烘焙室，以及用于在所述烘焙室和保护层涂覆层之间传送 基板的预处理机械手。所述后处理模块可进一步包括用于在曝光工艺后执行基 板的烘焙工艺的后曝光烘焙室，以及用于在所述清洗室和后曝光烘焙室之间传 送所述基板的后处理机械手。

其他实施例中，所述第二缓冲模块可进一步包括用于曝光所述基板边缘的 边缘曝光室；以及用于将所述基板传送至所述边缘曝光室的第二缓冲机械手。 所述第二缓冲模块可进一步包括用于冷却所述基板的冷却室。

其他实施例中，所述涂覆/显影模块可包括设置于不同层的涂覆模块和显影 模块。所述涂覆模块可包括用于在所述基板上涂覆光致抗蚀剂的涂覆室，用于 加热处理所述基板的烘焙室，以及用于在所述涂覆模块的烘焙室和所述涂覆室 之间传送所述基板的涂覆机械手。所述显影模块可包括用于执行基板的显影工 艺的显影室，用于加热处理所述基板的烘焙室，以及用于在所述显影模块的烘 焙室和所述显影室之间传送所述基板的显影机械手。

在进一步的实施例中，所述涂覆模块可位于与预处理模块相同的高度处， 所述显影模块可位于与后处理模块相同的高度处。所述第二缓冲模块可包括用 于执行基板冷却工艺的冷却室。所述第二缓冲模块的缓冲器可位于与所述涂覆 模块相应的高度处。所述冷却室可位于与所述显影模块相应的高度处。