[发明专利]处理基板的设备和方法有效
申请号: | 201010103502.9 | 申请日: | 2010-02-01 |
公开(公告)号: | CN101814422A | 公开(公告)日: | 2010-08-25 |
发明(设计)人: | 金东浩;崔晋荣;高在昇;卢亨来 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/677 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 韩国忠淸南道天*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 设备 方法 | ||
1.一种处理基板的设备,包括:
装载端口,在所述装载端口中设置有用于接收基板的容器;
第一缓冲模块,具有用于临时存储所述基板的缓冲器;
移送模块,用于在所述装载端口和所述第一缓冲模块之间传送所述基板;
涂覆/显影模块,用于执行基板的光致抗蚀剂涂覆工艺和显影工艺;
第二缓冲模块,具有用于临时存储所述基板的缓冲器;
预曝光/后曝光处理模块,用于在所述光致抗蚀剂涂覆工艺和曝光工艺之间、所述曝光工艺和所述显影工艺之间执行对基板的处理;以及
接口模块,与曝光单元连接,
其中,所述装载端口,所述移送模块,所述第一缓冲模块,所述涂覆/显影模块,所述第二缓冲模块,所述预曝光/后曝光处理模块、所述接口模块沿着第一方向顺序排列成一条线。
2.根据权利要求1所述的设备,其中,所述预曝光/后曝光处理模块包括用于在所述基板上涂覆保护层的保护层涂覆室。
3.根据权利要求2所述的设备,其中,所述预曝光/后曝光处理模块进一步包括用于清洗所述基板的清洗室。
4.根据权利要求3所述的设备,其中,所述预曝光/后曝光处理模块包括设置于不同层的预处理模块和后处理模块,其中,所述保护层涂覆室设置在所述预处理模块内,所述清洗室设置在所述后处理模块内。
5.根据权利要求4所述的设备,其中,所述预处理模块进一步包括用于执行基板的烘焙工艺的烘焙室;以及用于在所述烘焙室和所述保护层涂覆室之间传送基板的预处理机械手;
所述后处理模块进一步包括:用于在曝光工艺后执行基板的烘焙工艺的后曝光烘焙室,以及用于在所述清洗室和所述后曝光烘焙室之间传送所述基板的后处理机械手。
6.根据权利要求5所述的设备,其中,所述第二缓冲模块进一步包括用于曝光所述基板边缘的边缘曝光室;以及用于将所述基板传送至所述边缘曝光室的第二缓冲机械手。
7.根据权利要求5所述的设备,其中,所述第二缓冲模块进一步包括用于冷却所述基板的冷却室。
8.根据权利要求5所述的设备,其中,所述涂覆/显影模块包括设置于不同层的涂覆模块和显影模块;
所述涂覆模块包括用于在所述基板上涂覆光致抗蚀剂的涂覆室,用于加热处理所述基板的烘焙室,以及用于在所述涂覆模块的烘焙室和所述涂覆室之间传送所述基板的涂覆机械手;
所述显影模块包括用于执行基板的显影工艺的显影室,用于加热处理所述基板的烘焙室,以及用于在所述显影模块的烘焙室和所述显影室之间传送所述基板的显影机械手。
9.根据权利要求8所述的设备,其中,所述涂覆模块与所述预处理模块位于相同的高度处,所述显影模块与所述后处理模块位于相同的高度处。
10.根据权利要求9所述的设备,其中,所述第二缓冲模块包括用于执行基板冷却工艺的冷却室;
所述第二缓冲模块的缓冲器位于与所述涂覆模块相应的高度处;
所述冷却室位于与所述显影模块相应的高度处。
11.根据权利要求5所述的设备,其中,所述接口模块包括:
第一缓冲器,设置在与所述预处理模块相应的高度处,并临时存储所述基板;
第二缓冲器,设置在与所述后处理模块相应的高度处,并临时存储所述基板;
接口机械手,用于在所述第一缓冲器和曝光单元之间以及在所述第二缓冲器和曝光单元之间传送基板。
12.根据权利要求5所述的设备,其中,所述保护层涂覆室,设置有所述预处理机械手的回程室以及所述预处理模块的烘焙室,当从上面看时,在与所述第一方向垂直的第二方向上顺序设置;
所述清洗室,设置有后处理机械手的回程室以及所述后曝光烘焙室,当从上面看时,在所述第二方向上顺序设置。
13.根据权利要求12所述的设备,其中,每个设置有预处理机械手的回程室以及设置有后处理机械手的回程室,在第一方向上与所述第二缓冲模块的缓冲器并排设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造