[发明专利]带宽可调频率的跟踪滤波器

权利要求书

1.一种带宽可调频率的跟踪滤波器，包括第一电阻(R1)、第一电感(L1)和第一电容(C1)，其特征在于还包括第一、第二MOS管(M1、M2)和第二电容(C2)，其中第一电阻(R1)的一端分别接第一电感(L1)的一端、第一电容(C1)的一端和第一MOS管(M1)的漏极，第一电阻(R1)的另一端分别接第一电感(L1)的另一端、第一电容(C1)的另一端和第二MOS管(M2)的源极，第一MOS管(M1)的栅极接第二MOS管(M2)的栅极，第一MOS管(M1)的源极串接第二电容(C2)后接第二MOS管(M2)的漏极。

2.一种带宽可调频率的跟踪滤波器，包括第一电感(L1)和第一电容(C1)，其特征在于还包括第一至第三MOS管(M1～M3)、第一电阻(R1)、第三电阻(R3)和第二电容(C2)，其中第一电感(L1)的一端分别接第一电容(C1)的一端、第三电阻(R3)的一端、第一MOS管(M1)的漏极和第三MOS管(M3)的漏极，第一电感(L1)的另一端分别接第一电容(C1)的另一端、第三电阻(R3)的另一端、第二MOS管(M2)的源极和一电阻(R1)的一端，第一MOS管(M1)的栅极接第二MOS管(M2)的栅极，第一MOS管(M1)的源极串接第二电容(C2)后接第二MOS管(M2)的漏极。

3.根据权利要求1或2所述的带宽可调频率的跟踪滤波器，其特征在于所述第一MOS管(M1)为NMOS管。

4.根据权利要求1或2所述的带宽可调频率的跟踪滤波器，其特征在于所述第二MOS管(M2)为NMOS管。

5.根据权利要求3所述的带宽可调频率的跟踪滤波器，其特征在于所述第三MOS管(M3)为NMOS管。

6.根据权利要求1或2所述的带宽可调频率的跟踪滤波器，其特征在于所述第一MOS管(M1)为PMOS管。

7.根据权利要求1或2所述的带宽可调频率的跟踪滤波器，其特征在于所述第二MOS管(M2)为PMOS管。

8.根据权利要求3所述的带宽可调频率的跟踪滤波器，其特征在于所述第三MOS管(M3)PMOS管。