[发明专利]封装结构及其导线架无效
| 申请号: | 201010100023.1 | 申请日: | 2010-01-22 |
| 公开(公告)号: | CN102136464A | 公开(公告)日: | 2011-07-27 |
| 发明(设计)人: | 陈宏男 | 申请(专利权)人: | 尚安品有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L25/00 |
| 代理公司: | 北京泛诚知识产权代理有限公司 11298 | 代理人: | 文琦;陈波 |
| 地址: | 中国台湾高雄县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 封装 结构 及其 导线 | ||
1.一种导线架,其特征在于,包括:
一框体;
多个导线,与所述框体连接;以及
一金属复合层,分别设置在各所述导线的一部分,所述金属复合层由内而外依序具有一镍层及一银层。
2.根据权利要求1所述的导线架,其特征在于,所述金属复合层分别设置在各所述导线的内导线部分。
3.根据权利要求1所述的导线架,其特征在于,所述金属复合层还具有一金层,所述金属复合层由内而外依序具有所述镍层、所述银层及所述金层。
4.根据权利要求3所述的导线架,其特征在于,所述金层的厚度小于等于0.2μm。
5.根据权利要求3所述的导线架,其特征在于,所述金层掺杂小于10%的镍或钴。
6.根据权利要求1所述的导线架,其特征在于,所述镍层的厚度大于等于1.5μm,所述银层的厚度大于等于1.5μm。
7.根据权利要求1所述的导线架,其特征在于,所述镍层掺杂小于5%的磷。
8.根据权利要求1所述的导线架,其特征在于,所述银层掺杂小于10%的金、钯、铜、锰、锑、锡、锗、砷、镓、铟、铝、锌、镍或钒。
9.根据权利要求1所述的导线架,其特征在于,还包括:
一晶粒接合部,与至少一导线连结,且所述金属复合层的一部分设置在所述晶粒接合部。
10.根据权利要求1所述的导线架,其特征在于,还包括:
一反射杯,设置在所述导线上。
11.一种封装结构,其特征在于,包括:
一导线架,具有多个导线及一金属复合层,所述金属复合层分别设置在各所述导线的一部分,所述金属复合层由内而外依序具有一镍层及一银层;以及
一晶粒,与至少一导线电性连接。
12.根据权利要求11所述的封装结构,其特征在于,所述金属复合层分别设置在各所述导线的内导线部分。
13.根据权利要求11所述的封装结构,其特征在于,所述金属复合层还具有一金层,所述金属复合层由内而外依序具有所述镍层、所述银层及所述金层。
14.根据权利要求13所述的封装结构,其特征在于,所述金层的厚度小于等于0.2μm。
15.根据权利要求13所述的封装结构,其特征在于,所述金层掺杂小于10%的镍或钴。
16.根据权利要求11所述的封装结构,其特征在于,所述镍层的厚度大于等于1.5μm,所述银层的厚度大于等于1.5μm。
17.根据权利要求11所述的封装结构,其特征在于,所述镍层掺杂小于5%的磷。
18.根据权利要求11所述的封装结构,其特征在于,所述银层掺杂小于10%的金、钯、铜、锰、锑、锡、锗、砷、镓、铟、铝、锌、镍或钒。
19.根据权利要求11所述的封装结构,其特征在于,所述导线架还具有:
一晶粒接合部,所述晶粒设置在所述晶粒接合部,且所述金属复合层的一部分设置在所述晶粒接合部。
20.根据权利要求11所述的封装结构,其特征在于,所述导线架还包括:
一反射杯,设置在所述导线架。
21.根据权利要求11所述的封装结构,其特征在于,还包括:
一电子组件,所述电子组件表面贴合在所述导线架。
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