[发明专利]带通滤波器无效

专利信息
申请号: 201010034430.7 申请日: 2010-01-19
公开(公告)号: CN101777880A 公开(公告)日: 2010-07-14
发明(设计)人: 杨闵昊;廖怀林 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: H03H7/12 分类号: H03H7/12
代理公司: 北京市商泰律师事务所 11255 代理人: 麻吉凤;毛燕生
地址: 100871北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 带通滤波器
【说明书】:

技术领域

发明涉及滤波器技术领域,尤其涉及一种带通滤波器。

背景技术

近年来随着半导体工艺与电路设计技术的发展,集成电路在生 物医学领域的应用日益广泛,例如可植入人工耳蜗和各种可植入的 生物信号(心电图,脑电图等)检测系统。跟上述应用有关的各种 芯片由于其超低功耗的要求,对其中各模块电路的设计提出了挑战。 模拟带通滤波器作为这些芯片中的主要模块电路之一,起到通过指 定频率抑制其余频率的作用。目前文献中有报道的应用于生物医学 的低功耗带通滤波器主要有SC(开关电容)滤波器和Gm-C(跨导电 容)滤波器。SC滤波器中不可缺少的基本组成单元为运算放大器, 通常为了满足其一定的增益带宽要求而功耗较高;Gm-C滤波器中的 Gm跨导放大器单元也因为线性度噪声等指标的要求而功耗较高。

发明内容

本发明的目的在于,提供一种带通滤波器,该滤波器的功耗相 对现有技术而言明显降低。

第一方面,本发明公开了一种带通滤波器,包括第一MOS管、 第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第一电容器、第二电 容器、第三电容器、第四电容器、第一电流源和第二电流源;其中, 所述第三MOS管、第四MOS管以栅极与漏极相互交叉耦合的组成 源跟随器的方式连接,所述第一MOS管、第二MOS管以二极管连 接方式连接。

上述的带通滤波器,优选所述第一MOS管、所述第二MOS管、 所述第三MOS管、所述第四MOS管均为PMOS管;其中,所述第 一电流源和所述第三电容器均与所述第三MOS管的源极相连接、所 述第二电流源和所述第四电容器均与所述第四MOS管的源极相连 接;并且,所述第三电容器、所述第四电容器分别接地;所述第一 电流源、所述第二电流源均与电源电压相连接;所述第三MOS管的 栅极与所述第四MOS管的漏极相连接,所述第四MOS管的栅极与 所述第三MOS管的漏极相连接;所述第一电容器和所述第三MOS 管的漏极均与所述第一MOS管的源极相连接;所述第二电容器和所 述第四MOS管的漏极均与所述第二MOS管的源极相连接;以及所 述第一MOS管的漏极和栅极、所述第二MOS管的漏极和栅极分别 接地。

上述的带通滤波器,优选所述第一MOS管、所述第二MOS管、 所述第三MOS管、所述第四MOS管均为NMOS管;其中,所述第 一电流源和所述第三电容器均与所述第三MOS管的源极相连接、所 述第二电流源和第四电容器均与所述第四MOS管的源极相连接;并 且,所述第三电容器、所述第四电容器分别接地;所述第一电流源、 所述第二电流源均与地相连接;所述第三MOS管的栅极与所述第四 MOS管的漏极相连接,所述第四MOS管的栅极与所述第三MOS 管的漏极相连接;所述第一电容器和第三MOS管的漏极均与所述第 一MOS管的源极相连接;所述第二电容器和所述第四MOS管的漏 极均与所述第二MOS管的源极相连接;以及所述第一MOS管的漏 极和栅极、所述第二MOS管的漏极和栅极分别接电源电压。

上述的带通滤波器,优选所述第一电容器和所述第二电容器电 容值相等;所述第三电容器和所述第四电容器电容值相等;所述第 一MOS管和所述第二MOS管的尺寸相同,所述第三MOS管和第 四MOS管的尺寸相同;所述第一电流源和所述第二电流源的电流值 相等。

第二方面,本发明还公开了另外一种带通滤波器,所述滤波器 由上述多个带通滤波器级联组成。

第三方面,本发明还公开了一种带通滤波器,该带通滤波器以 双极型晶体管替代MOS管。

与现有技术相比,本发明具有如下有益效果:

采用源跟随器,打破滤波器功耗和线性度相互对立的局面。由 于没有运算放大器和Gm单元,降低了带通滤波器的功耗。

附图说明

图1为PMOS管构造的源跟随器的结构示意图;

图2为本发明带通滤波器实施例的结构示意图;

图3为NMOS管构造的源跟随器的结构示意图;

图4为本发明带通滤波器另一实施例的结构示意图;

图5为本发明带通滤波器另一实施例的结构示意图;

图6为级联的带通滤波器的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面 结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。

实施例一:

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