[发明专利]带通滤波器无效

专利信息
申请号: 201010034430.7 申请日: 2010-01-19
公开(公告)号: CN101777880A 公开(公告)日: 2010-07-14
发明(设计)人: 杨闵昊;廖怀林 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: H03H7/12 分类号: H03H7/12
代理公司: 北京市商泰律师事务所 11255 代理人: 麻吉凤;毛燕生
地址: 100871北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 带通滤波器
【权利要求书】:

1.一种带通滤波器,其特征在于,包括第一MOS管、第二MOS 管、第三MOS管、第四MOS管、第一电容器、第二电容器、第三电 容器、第四电容器、第一电流源和第二电流源;其中,所述第三MOS 管、第四MOS管以栅极与漏极相互交叉耦合的组成源跟随器的方式 连接,所述第一MOS管、第二MOS管以二极管连接方式连接;

第三MOS管的漏极与第一MOS管的源极相连接;第四MOS管 的漏极与第二MOS管的源极相连接;第一电流源和第三电容器均与 第三MOS管的源极相连接;第二电流源和第四电容器均与第四MOS 管的源极相连接;第一电容器和第三MOS管的漏极均与第一MOS管 的源极相连接;第二电容器和第四MOS管的漏极均与第二MOS管的 源极相连接。

2.根据权利要求1所述的带通滤波器,其特征在于,所述第一 MOS管、所述第二MOS管、所述第三MOS管、所述第四MOS管均 为PMOS管;其中,

所述第三电容器、所述第四电容器分别接地;所述第一电流源、 所述第二电流源均与电源电压相连接;

所述第一MOS管的漏极和栅极、所述第二MOS管的漏极和栅极 分别接地。

3.根据权利要求1所述的带通滤波器,其特征在于,所述第一 MOS管、所述第二MOS管、所述第三MOS管、所述第四MOS管均 为NMOS管;其中,

所述第三电容器、所述第四电容器分别接地;所述第一电流源、 所述第二电流源均与地相连接;

所述第一MOS管的漏极和栅极、所述第二MOS管的漏极和栅极 分别接电源电压。

4.根据权利要求1所述的带通滤波器,其特征在于,以双极型 晶体管替代MOS管。

5.根据权利要求2或3所述的带通滤波器,其特征在于,

所述第一电容器和所述第二电容器电容值相等;所述第三电容器 和所述第四电容器电容值相等;

所述第一MOS管和所述第二MOS管的尺寸相同,所述第三MOS 管和第四MOS管的尺寸相同;

所述第一电流源和所述第二电流源的电流值相等。

6.一种带通滤波器,其特征在于,所述滤波器由根据权利要求1 至4中任一项所述的多个带通滤波器级联组成。

7.一种带通滤波器,其特征在于,所述滤波器由根据权利要求5 所述的多个带通滤波器级联组成。

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