[发明专利]一种改善可控硅调光器适应容性负载的电路有效
| 申请号: | 201010003658.X | 申请日: | 2010-01-05 |
| 公开(公告)号: | CN101784146A | 公开(公告)日: | 2010-07-21 |
| 发明(设计)人: | 华桂潮;葛良安;姚晓莉 | 申请(专利权)人: | 英飞特电子(杭州)有限公司 |
| 主分类号: | H05B37/02 | 分类号: | H05B37/02 |
| 代理公司: | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人: | 沈孝敬 |
| 地址: | 310053 浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 改善 可控硅 调光器 适应 负载 电路 | ||
1.一种改善可控硅调光器适应容性负载的电路,包括输入电压Uin,阻尼电路, 电流采样电阻Rs,阻尼控制电路和高频滤波电容Cx,其特征在于:
所述的阻尼电路的输出端与高频滤波电容Cx和电流采样电阻Rs串联, 该串联支路的输入电压为Uin,所述的阻尼控制电路的输入端接采样电阻Rs 的两端,其输出端接阻尼电路的输入端;
当可控硅被触发导通时,所述的输入电压Uin随之发生突变,高频滤波电 容Cx充电过快,导致可控硅非正常截止,反复振荡重启;所述的阻尼控制电 路检测电流采样电阻Rs上电流信号,输出控制信号并控制阻尼电路的输出阻 抗,从而抑制高频滤波电容Cx充电过快而造成的振荡;
当输入电压Uin的幅值与电网电压接近时,则阻尼电路输出阻抗最小,高 频滤波电容Cx正常滤波工作。
2.如权利要求1所述的改善可控硅调光器适应容性负载的电路,其特征在于所 述的输入电压Uin是开关电源驱动器整流桥后直流侧的电压。
3.如权利要求2所述的改善可控硅调光器适应容性负载的电路,其特征在于所 述的阻尼控制电路包括电源Vcc,电阻R1和三极管S2,所述的阻尼电路为 MOSFET S1,可控硅SCR的一端接电网电压的一端,可控硅SCR的另一端 接整流桥的一个输入端,可控硅触发电路接可控硅SCR的触发极和接电网侧 的一极,电网电压的另一端接整流桥的另一个输入端,整流桥的输出正端接 高频滤波电容Cx的一端和开关电源驱动器的一个输入端,高频滤波电容Cx 的另一端接S1的漏极,S1的源极接电流采样电阻Rs的一端和三极管S2的 基极,电流采样电阻Rs的另一端接整流桥的输出负端,三极管S2的发射极 和开关电源驱动器的另一个输入端,三极管S2的集电极接MOSFET S1的门 极和电阻R1的一端,电阻R1的另一端接电源Vcc正端,电源Vcc的负端接 整流桥输出负端。
4.如权利要求2所述的改善可控硅调光器适应容性负载的电路,其特征在于所 述的阻尼控制电路包括电源Vcc,电阻R1,电阻R2和三极管S2,所述的阻 尼电路为三极管S1,可控硅SCR的一端接电网电压的一端,可控硅SCR的 另一端接整流桥的一个输入端,可控硅触发电路接可控硅SCR的触发极和接 电网侧的一极,电网电压的另一端接整流桥的另一个输入端,整流桥的输出 正端接高频滤波电容Cx的一端和开关电源驱动器的一个输入端,高频滤波 电容Cx的另一端接三极管S1的集电极,三极管S1的发射极接电流采样电 阻Rs的一端和三极管S2的基极,电流采样电阻Rs的另一端接整流桥的输 出负端,三极管S2的发射极和开关电源驱动器的另一个输入端,三极管S2 的集电极接电阻R2的一端和电阻R1的一端,电阻R2的另一端接三极管S1 的基极,电阻R1的另一端接电源Vcc正端,电源Vcc的负端接整流桥输出 负端。
5.如权利要求1所述的改善可控硅调光器适应容性负载的电路,其特征在于所 述的输入电压Uin是开关电源驱动器交流输入侧的电压。
6.如权利要求5所述的改善可控硅调光器适应容性负载的电路,其特征在于所 述的阻尼控制电路包括电源Vcc,电阻R1,三极管S2,所述的阻尼电路包括 二极管D1,二极管D2,二极管D3,二极管D4,和MOSFET S1,可控硅 SCR的一端接电网电压的一端,可控硅SCR的另一端接整流桥的一个输入 端,二极管D3的阴极和二极管D4的阳极,可控硅触发电路接可控硅SCR 的触发极和接电网侧的一极,电网电压的另一端接整流桥的另一个输入端和 高频滤波电容Cx的一端,高频滤波电容Cx的另一端接二极管D1的阴极和 二极管D2的阳极,二极管D2的阴极和二极管D4的阴极接开关S1的漏极, 开关S1的源极接电流采样电阻Rs的一端和三极管S2的基极,采样电阻Rs 的另一端接二极管D1的阳极和二极管D3的阳极以及三极管S2的发射极, 三极管S2的集电极接开关S1的门极和电阻R1的一端,电阻R1的另一端接 电源Vcc正端,电源Vcc的负端接二极管D1的阳极和二极管D3的阳极, 整流桥的输出端接开关电源驱动器的输入端。
7.如权利要求5所述的改善可控硅调光器适应容性负载的电路,其特征在于所 述的阻尼控制电路包括电源Vcc,电阻R1,电阻R2,三极管S2,二极管D1, 二极管D2,二极管D3和二极管D4,所述的开关S1为三极管,可控硅SCR 的一端接电网电压的一端,可控硅SCR的另一端接整流桥的一个输入端,二 极管D3的阴极和二极管D4的阳极,可控硅触发电路接可控硅SCR的触发 极和接电网侧的一极,电网电压的另一端接整流桥的另一个输入端和高频滤 波电容Cx的一端,高频滤波电容Cx的另一端接二极管D1的阴极和二极管 D2的阳极,二极管D2的阴极和二极管D4的阴极接开关S1的集电极,开关 S1的发射极接电流采样电阻Rs的一端和三极管S2的基极,采样电阻Rs的 另一端接二极管D1的阳极和二极管D3的阳极以及三极管S2的发射极,三 极管S2的集电极接电阻R2的一端和电阻R1的一端,电阻R2的另一端接开 关S1的基极,电阻R1的另一端接电源Vcc正端,电源Vcc的负端接二极管 D1的阳极和二极管D3的阳极,整流桥的输出端接开关电源驱动器的输入端。
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