[发明专利]像素构造、有源矩阵基板、有源矩阵基板的制造方法、电光学装置以及电子设备

说明书

本申请是申请号为200610058869.7、申请日为2006年3月8日、发 明名称为：像素构造、有源矩阵基板、有源矩阵基板的制造方法、电光学 装置以及电子设备的分案申请。

技术领域

本发明涉及像素构造、有源矩阵基板、有源矩阵基板的制造方法、电 光学装置以及电子设备。

背景技术

例如在有源矩阵方式的液晶显示装置中，在每个像素中设有开关元 件，借助该开关元件进行各像素的开关动作。作为开关元件，例如使用 TFT(薄膜晶体管)。

作为具有TFT的有源矩阵基板的制造方法，一般来说是在形成了栅电 极及半导体层(例如无定形硅层及N型硅层)后，层叠形成电极配线(源 线、漏线等)或像素电极(透光性导电膜等)(例如参照专利文献1)。

[专利文献1]专利第3261699号公报

在有源矩阵基板的制造工艺中，对于成膜后的半导体层有热的限制。 例如当对成膜后的半导体层施加250～300℃左右以上的热时，则会有伴随 着脱氢产生的元件特性的恶化的情况。这样的半导体层的热的限制由于对 在半导体层之后所形成的电极配线或像素电极的形成方法造成制约，因此 成为实现制造工艺的低成本化的工艺适用性上的障碍。

发明内容

本发明是鉴于所述情况而完成的，其目的在于，提供制造工艺的半导 体层的热的限制的影响小、有利于低成本化的像素构造及具有该像素构造 的有源矩阵基板的制造方法。

本发明的像素构造是具有像素电极、与该像素电极对应的开关元件的 像素构造，其特征是，所述像素电极和所述开关元件被形成于同一基板上， 所述像素电极被配置于基板侧的层中，而不是所述开关元件的半导体层 中。

根据该像素构造，由于像素电极被配置于基板侧的层中，而不是开关 元件的半导体层中，因此就能够在半导体层的形成之前形成像素电极。即， 可以不受半导体层的热的限制的影响地形成像素电极。由此，该像素构造 对像素电极的形成方法的制约少，有利于低成本工艺的应用，例如液相成 膜的导入。

该情况下，例如可以采用所述像素电极被配置于所述基板上的第1层 中(最接近基板表面的层)的构成。

根据该构成，因像素电极被配置于基板上的第1层中，因此像素电极 的形成材料或形成手段的选择的幅度变宽。

而且，该构成包括如下的情况，即，用于防止物质的透过的保护膜或 用于提高密接性的密接膜等不直接参与开关动作的膜存在于基板表面和 像素电极之间的情况。

在所述的像素构造中，可以采用如下的构成，即，还具有与所述像素 电极对应的电容部，所述像素电极和构成所述电容部的导电线被配置于所 述基板上的同一层中。

根据该构成，由于像素电极和电容部的导电线被配置于基板上的同一 层中，因此就能够利用像素电极及其导电线的形成工艺的部分共有化来实 现制造工艺的简单化。

该情况下，例如可以采用所述像素电极和所述电容部的导电线含有相 同的材料膜的构成。

根据该构成，由于像素电极和电容部的导电线含有相同的材料膜并且 它们被配置于基板上的同一层中，因此就能够在相同的时刻进行像素电极 及其导电线的各材料配置。

在所述的像素构造中，可以采用被与所述像素电极电连接的辅助电极 夹隔绝缘膜(夹于其间)而将所述电容部的导电线覆盖的构成。

该构成中，辅助电极作为像素电极的一部分发挥作用，并且该辅助电 极和电容部的导电线被夹隔绝缘膜相面对地配置。

该情况下，可以采用所述像素电极、所述电容部的导电线、所述辅助 电极及所述绝缘膜分别由透光性的膜制成的构成。

根据该构成，由于除了像素电极以外，光还能透过电容部，因此可以 实现像素构造中的透光区域的扩大(开口率的提高)。

另外，在所述的像素构造中，可以采用在所述基板上形成划分所述像 素电极及/或所述电容部的堤堰的构成。