[发明专利]像素构造、有源矩阵基板、有源矩阵基板的制造方法、电光学装置以及电子设备有效
| 申请号: | 201010002104.8 | 申请日: | 2006-03-08 |
| 公开(公告)号: | CN101770127A | 公开(公告)日: | 2010-07-07 |
| 发明(设计)人: | 傅田敦;野田洋一 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 汪惠民 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 像素 构造 有源 矩阵 制造 方法 光学 装置 以及 电子设备 | ||
1.一种像素构造,
其具有像素电极;和
与该像素电极对应的开关元件,其中,
所述像素电极和所述开关元件被形成于同一基板上,
每个像素电极被配置于所述基板侧的层中,而不是所述开关元件的半 导体层中;和
形成在所述基板上的绝缘膜,该绝缘膜包括多个开口部,所述像素电 极和所述开关元件的栅电极形成在所述多个开口部的各个开口部中,其 中:
所述开关元件为薄膜晶体管,所述开关元件中的栅电极和所述像素电 极被配置于所述基板上的同一层中;以及
在所述基板上的与所述像素电极同一层中还配置有栅极线和源线。
2.根据权利要求1所述的像素构造,其中,所述像素电极被配置于 所述基板上的第1层中。
3.根据权利要求1所述的像素构造,其中,还包括与所述像素电极 对应的电容部,其中,所述像素电极和构成所述电容部的导电线被配置于 所述基板上的同一层中。
4.根据权利要求3所述的像素构造,其中,所述像素电极和所述电 容部的导电线含有相同的材料膜。
5.根据权利要求3所述的像素构造,其中,还包括辅助电极,每个 辅助电极与所述像素电极电连接,以将绝缘膜夹于其间的方式覆盖所述电 容部的导电线。
6.根据权利要求5所述的像素构造,其中,所述像素电极、所述电 容部的导电线、所述辅助电极、及所述绝缘膜由透光性的膜制成。
7.根据权利要求3所述的像素构造,其中,所述绝缘膜形成为划分 所述像素电极和所述电容部中的至少一个。
8.根据权利要求1所述的像素构造,其中,所述绝缘膜形成为划分 所述像素电极及/或所述栅电极。
9.根据权利要求1所述的像素构造,其中,所述栅电极和所述栅极 线和所述源线含有相同的材料膜。
10.根据权利要求1所述的像素构造,其中,所述绝缘膜形成为划分 所述栅极线及/或所述源线。
11.一种包括根据权利要求1所述的所述像素构造的有源矩阵基板。
12.一种包括根据权利要求11所述的有源矩阵基板的电光学装置。
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