[发明专利]像素构造、有源矩阵基板、有源矩阵基板的制造方法、电光学装置以及电子设备有效

专利信息
申请号: 201010002104.8 申请日: 2006-03-08
公开(公告)号: CN101770127A 公开(公告)日: 2010-07-07
发明(设计)人: 傅田敦;野田洋一 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/77;H01L27/12
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 汪惠民
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 像素 构造 有源 矩阵 制造 方法 光学 装置 以及 电子设备
【权利要求书】:

1.一种像素构造,

其具有像素电极;和

与该像素电极对应的开关元件,其中,

所述像素电极和所述开关元件被形成于同一基板上,

每个像素电极被配置于所述基板侧的层中,而不是所述开关元件的半 导体层中;和

形成在所述基板上的绝缘膜,该绝缘膜包括多个开口部,所述像素电 极和所述开关元件的栅电极形成在所述多个开口部的各个开口部中,其 中:

所述开关元件为薄膜晶体管,所述开关元件中的栅电极和所述像素电 极被配置于所述基板上的同一层中;以及

在所述基板上的与所述像素电极同一层中还配置有栅极线和源线。

2.根据权利要求1所述的像素构造,其中,所述像素电极被配置于 所述基板上的第1层中。

3.根据权利要求1所述的像素构造,其中,还包括与所述像素电极 对应的电容部,其中,所述像素电极和构成所述电容部的导电线被配置于 所述基板上的同一层中。

4.根据权利要求3所述的像素构造,其中,所述像素电极和所述电 容部的导电线含有相同的材料膜。

5.根据权利要求3所述的像素构造,其中,还包括辅助电极,每个 辅助电极与所述像素电极电连接,以将绝缘膜夹于其间的方式覆盖所述电 容部的导电线。

6.根据权利要求5所述的像素构造,其中,所述像素电极、所述电 容部的导电线、所述辅助电极、及所述绝缘膜由透光性的膜制成。

7.根据权利要求3所述的像素构造,其中,所述绝缘膜形成为划分 所述像素电极和所述电容部中的至少一个。

8.根据权利要求1所述的像素构造,其中,所述绝缘膜形成为划分 所述像素电极及/或所述栅电极。

9.根据权利要求1所述的像素构造,其中,所述栅电极和所述栅极 线和所述源线含有相同的材料膜。

10.根据权利要求1所述的像素构造,其中,所述绝缘膜形成为划分 所述栅极线及/或所述源线。

11.一种包括根据权利要求1所述的所述像素构造的有源矩阵基板。

12.一种包括根据权利要求11所述的有源矩阵基板的电光学装置。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精工爱普生株式会社,未经精工爱普生株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010002104.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top