[发明专利]组装薄胶膜于光掩模上的方法、设备及其组装体有效

专利信息
申请号: 201010001427.5 申请日: 2010-01-06
公开(公告)号: CN101788770A 公开(公告)日: 2010-07-28
发明(设计)人: 林锦鸿;陈志成;何铭涛 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G03F9/00 分类号: G03F9/00
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 姜燕;邢雪红
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 组装 胶膜 光掩模上 方法 设备 及其
【说明书】:

技术领域

本发明涉及组装薄胶膜于光掩模上的方法和设备。

背景技术

薄胶膜或光掩模为一精密的玻璃板,其包含电路布局以供半导体工艺使 用。如果任何的尘埃或污染颗粒沾附于薄胶膜上,此薄胶膜可导致额外的部 件于印刷电路上。薄胶膜为薄且透明的材料,组装于掩模或光掩模(reticle)上 方的特定距离。此距离需选定,使得在聚焦晶片时,该薄胶膜上的任何尘埃 或颗粒会落于焦点之外。因此,任何落于薄胶膜表面的外来颗粒都不会投影 在晶片上,且不会导致于印刷缺陷。

即便是使用薄胶膜,仍有其他的因素会导致印刷缺陷。其中的一问题为 光掩模模糊污染物的生成。众所周知的是,光掩模模糊污染物的生成导因化 学物质,SOx和NHx(如SO2和NH3),在光掩模的制作过程中形成,且与湿 气反应所致。这些化学物质导源于从用于制作光掩模的材料表面的脱附气 体,湿式化学物质包括硫酸和双氧水,和/或源自处理光掩模的杂质。当这些 化学物质和湿气共存时,且曝露于紫外(UV)光(例如用于曝光图案晶片上的 光线),因而生成硫酸铵晶体,进而导致光掩模模糊污染物生成。因此,每当 光掩模曝露于深紫外(DUV)光便增加造成光掩模模糊的晶体成长,进而导致 光掩模寿命缩短。

为了延迟或避免形成光掩模模糊,晶片代工厂将光掩模储存于受控制的 环境(如储存于惰性气体的环境中),并且采用“净化”程序以移除污染物。 此净化程序通常是将该光掩模置于氮气或极度洁净干空气(extreme clean dry  air,简称XCDA)环境中。于上述两环境中,都可自光掩模移除湿气和氨反 应物,以避免形成光掩模模糊。例如,可于使用光掩模于扫描曝光机之前或 之后立即实施净化程序。

美国专利UA 6,593,034中公开一种薄胶膜框架,其包括两个气体通导开 口。该薄胶膜框架采用以将该光掩模与该薄胶膜之间空间的空气,取代以惰 性气体,例如氮气、氦气、氩气或等性质的气体。该薄胶膜框架具有一对开 口,以供通入惰性气体于上述空间中,或将气体自上述空间中抽离。该开口 具有过滤件,其可避免大的颗粒渗透。此配置可消除在安装薄胶膜时造成模 糊,然而光掩模模糊仍会在后续的使用过程中生成。

有鉴于此,业界亟需一种有效避免光掩模模糊方法。

发明内容

本发明的目的在于解决现有技术存在的上述问题,于本发明诸实施例 中,一种组装薄胶膜于光掩模上的方法,包括:以一真空紫外光照射一光掩 模于一气氛的极度洁净干空气或一惰性气体;以及当光掩模于该气氛的极度 洁净干空气或该惰性气体的环境且曝露在真空紫外光中,组装一薄胶膜于该 光掩模上。

于本发明诸实施例中,一种组装薄胶膜于光掩模上的设备,包括:一腔 体,具有至少一端口,以将该腔体填充一气氛的极度洁净干空气或一惰性气 体;一薄胶膜组装器于该腔体中;一真空紫外光源,当该腔体填充该极度洁 净干空气或该惰性气体时,用以照射一光掩模固定于该薄胶膜组装器。

于本发明诸实施例中,一种组装薄胶膜于光掩模上的组装体,包括:一 光掩模;一薄胶膜框架密封地贴附于该光掩模;以及一薄胶膜接合至该薄胶 膜框架,形成一密封的围圈由该光掩模、该薄胶膜框架和该薄胶膜黏结,该 密封的围圈内填充以一惰性气体,其中该组装体的形成方式包括:以真空紫 外光照射该光掩模于一气氛的极度洁净干空气或惰性气体;及在该气氛的极 度洁净干空气或惰性气体环境中,密封该光掩模、该薄胶膜框架和该薄胶膜 于一体。

本发明可降低或消除光掩模模糊,并且可降低晶片低良率的风险。光掩 模在模糊污染物产生之前的耐久性也得以延长。由于可降低或消除光掩模模 糊,因此也节省工艺时间,也避免频繁地光掩模重工(例如薄胶膜重组、再清 洗、缺陷检测、关键维度(CD)测量)的需求,因此可降低工艺费用。

为使本发明能更明显易懂,下文特举实施例,并配合附图,作详细说明 如下。

附图说明

图1和图2为显示组装一薄胶膜于一光掩模上的工艺示意图;

图3为组装薄胶膜于光掩模上的另一设备的结构配置示意图;

图4为显示组装薄胶膜于光掩模上的设备的结构配置示意图,其结构基 本上相似于图3所显示的结构;以及

图5为显示将一薄胶膜组装于光掩模上的制造方法的流程示意图。

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