[发明专利]发光二极管的封装结构

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体封装结构，特别是涉及一种发光二极管的封装结构及其制造方法。

背景技术

参阅图1与图2，以往的一种发光二极管的封装结构1包含一个具有两个表面电极111、112的基座11、一颗分别电连接于所述电极111、112的发光二极管晶片(LED Die)12，及一层由掺杂荧光粉(phosphor)的封胶制成且包覆该发光二极管晶片12的胶层13，该胶层13是采注射成型(injection molding)或传递成型(transfer molding)制成，其中，该胶层13自顶面至该基座11的表面的厚度I为220微米，但该发光二极管晶片12厚度就有100微米，加上该胶层13的宽度约为该发光二极管晶片12的4～8倍，依该发光二极管晶片12的长、短轴方向而有不同，故该发光二极管晶片12四周的胶层13较厚，而上方胶层13厚度较薄，如此，封胶在注射成型、传递成型该胶层13的过程中，会因该发光二极管晶片12上方空间对比于四周空间太小，而产生封胶在该发光二极管晶片12上方的流动性与四周流动性不同，会让封胶中掺杂的荧光粉因流动性不同产生不同的沉淀分布状况，通常会造成荧光粉在该发光二极管晶片12上方的分布状况较差。

此外，由于该胶层13在该发光二极管晶片12的上方厚度与四周厚度不同，故该发光二极管晶片12各方向的发出的光线在胶体13中的行进路径长度不同，例如：向四周发出的光线其行进路径较长，荧光粉的相对分布量也较多，故较有机会与荧光粉作用，而产生较多的黄色光，相对于向上方发出的光线因为行进路径相对短很多，荧光粉相对分布量较少，所以较没有机会与荧光粉作用，产生较少的黄色光；参阅图2，为单一颗该发光二极管以垂直发光面的方向为0度，沿一长轴方向将各个角度的出光色坐标值(CIE)绘制成的一图表，由图可知色坐标值分布区域较广，表示在不同角度的出光色坐标差异较大，也就是各角度白光的颜色不均匀，再参阅图3，为统计多颗该发光二极管的出光色坐标值绘制成的一图表，如此，因荧光粉在每一颗该发光二极管中的分布不均匀，造成多颗该发光二极管的出光色坐标值上的分布区域也较广的现象，表示个别发光二极管出光的白光色坐标值差异较大。

发明内容

本发明的目的是在提供一种可以改善出光色坐标分布的发光二极管的封装结构。

本发明的另一目的，也就是在提供一种可以改善出光色坐标分布的发光二极管封装结构的制造方法。

本发明发光二极管的封装结构，包含：一个基座、一颗发光二极管、一层第一胶层及一层第二胶层，该基座具有表面，该发光二极管晶片设置于该基座表面上，该第一胶层掺杂有荧光粉，并以类似于该发光二极管晶片的外形包覆于该发光二极管晶片上，且由该发光二极管晶片至该第一胶层顶面的距离，与由该发光二极管晶片至该第一胶层任一侧面的距离实质上相等，该第二胶层包覆于该第一胶层外。

本发明发光二极管的封装结构的制造方法包含以下步骤：首先，将至少一颗发光二极管晶片设置于一个基座的表面上，接着，将一层掺杂有荧光粉的第一胶层以类似于该发光二极管晶片的外形包覆于该发光二极管晶片上，并使由该发光二极管晶片至该第一胶层顶面的距离，与由该发光二极管晶片至该第一胶层任一侧面的距离实质上相等，最后，将一层第二胶层包覆于该第一胶层外。

本发明的有益效果在于：利用由该发光二极管晶片至该第一胶层顶面及该发光二极管晶片至该第一胶层任一侧面的距离实质上相等，让掺杂有荧光粉的该第一胶层在包覆该发光二极管晶片的各方向厚度差异减少，使得该发光二极管晶片各方向发出的光线行进路径长度能相似，出光颜色相似，更因调整第一胶体厚度下，进而达到使多颗发光二极管的出光在色坐标上的分布更加集中。

附图说明

图1是剖视示意图，说明一种传统发光二极管的封装结构；

图2是图表，说明单一颗传统发光二极管的各角度出光色坐标的分布图；

图3是图表，说明多颗传统发光二极管的色坐标分布图；

图4是剖视示意图，说明本发明发光二极管的封装结构的一个优选实施例；

图5是图表，说明本优选实施例单一颗发光二极管的各角度出光色坐标的分布图；

图6是图表，说明本优选实施例统计多颗发光二极管的出光色坐标分布图；

图7是剖视示意图，说明本优选实施例还包含一个外基座；

图8是剖视示意图，说明本优选实施例的一颗发光二极管晶片设置于该基座表面的状况；

图9是剖视示意图，说明本优选实施例的一第一胶层4封装该发光二极管晶片3的状况；

图10是流程图，说明本优选实施例的制造流程；