[发明专利]发光二极管的封装结构

权利要求书

1.一种发光二极管的封装结构，包含：一个基座及一颗发光二极管晶片，所述基座具有表面，所述发光二极管晶片设置于所述基座表面上；其特征在于：所述发光二极管的封装结构还包含一层第一胶层及一层第二胶层，所述第一胶层掺杂有荧光粉，并以类似于所述发光二极管晶片的外形包覆于所述发光二极管晶片上，且由所述发光二极管晶片至所述第一胶层顶面的距离，与由所述发光二极管晶片至所述第一胶层任一侧面的距离实质上相等，所述第二胶层包覆于所述第一胶层外。

2.根据权利要求1所述的发光二极管的封装结构，其特征在于：所述第一胶层顶面到所述基座表面的厚度是所述发光二极管晶片厚度的至少四倍。

3.根据权利要求2所述的发光二极管的封装结构，其特征在于：所述第二胶层的折射率介于所述第一胶层的折射率与空气的折射率间。

4.根据权利要求3所述的发光二极管的封装结构，其特征在于：所述第二胶层还包含一面外表面，所述外表面为曲面。

5.根据权利要求4所述的发光二极管的封装结构，其特征在于：所述基座还包括一个呈环状并向上延伸的反射部，所述反射部具有一个供所述第二胶层填入的空间。

6.一种发光二极管的封装结构的制造方法，其特征在于所述制造方法包含以下步骤：

一、将至少一颗发光二极管晶片设置于一个基座的表面上；

二、将一层掺杂有荧光粉的第一胶层以类似于所述发光二极管晶片的外形包覆于所述发光二极管晶片上，并使由所述发光二极管晶片至所述第一胶层顶面的距离，与由所述发光二极管晶片至所述第一胶层任一侧面的距离实质上相等；及

三、将一层第二胶层包覆所述第一胶层。

7.根据权利要求6所述的发光二极管的封装结构的制造方法，其特征在于：在所述步骤二中，使所述第一胶层顶面到所述基座表面的厚度是所述发光二极管晶片厚度的至少四倍。

8.根据权利要求7所述的发光二极管的封装结构的制造方法，其特征在于：在所述步骤三中，使所述第二胶层的外表面形成曲面。

9.根据权利要求8所述的发光二极管的封装结构的制造方法，其特征在于：在步骤一中，所述基座还包括一个呈环状并向上延伸的反射部，另外，在所述步骤三中，所述第二胶层注射成型于所述反射部内。

10.根据权利要求8所述的发光二极管的封装结构的制造方法，其特征在于：在步骤一中，所述基座具有长方向，将多颗发光二极管晶片沿所述基座的长方向排列且分隔设置，在所述步骤二中，所述第一胶层是传递成型于所述发光二极管晶片上，在所述步骤三中，所述第二胶层传递成型于所述第一胶层上，另外，还包含一个在步骤三后的步骤四，沿所述长方向切割所述第一胶层、第二胶层及基座，使分割成多个小单元，每一单元至少具有一颗发光二极管晶片。