[发明专利]芯片贴附膜有效
| 申请号: | 200980163029.9 | 申请日: | 2009-10-16 |
| 公开(公告)号: | CN102656675A | 公开(公告)日: | 2012-09-05 |
| 发明(设计)人: | 朱孝叔;张锡基;朴孝淳;洪宗完;赵显珠;金章淳;朴容秀 | 申请(专利权)人: | LG化学株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/58 | 分类号: | H01L21/58 |
| 代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 黄丽娟;陈英俊 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 芯片 贴附膜 | ||
技术领域
本发明涉及一种芯片贴附膜(die attach film),一种半导体晶圆(semiconductor wafer)以及一种半导体封装方法。
背景技术
随着近来手机或移动终端中所用的半导体存储器趋向高度集成和功能性,已经常使用一种用芯片贴附膜将多个半导体晶片(semiconductor chip)叠置在半导体基板上的方法。
所述芯片贴附膜包括切割工序过程中用于固定半导体晶片的压敏粘合剂层,和在芯片粘合工序中与半导体晶片的背面粘合并与布线基板(例如引线框)贴附的粘合剂层。
使用芯片贴附膜的封装过程通常包括:将晶圆切割成单独的晶片的切割工序,将经切割的晶片粘合至电路膜或引线框的芯片粘合工序,使用电连接方式(例如金属线)使位于半导体晶片上的晶片垫与电路膜或引线框的电路图案连接的金属线接合工序,和使用包封材料包封接合有金属线的半导体晶片以保护该半导体晶片的内部电路和其它部分的塑封工序。
在切割工序中,利用例如钻石砂轮将晶圆切割成预定厚度。当施加过度压力或者存在机械冲击时,产生因晶圆受损引起的碎屑和能够污染图案的毛边。最近,由于晶圆厚度的减小以减小封装尺寸和为了增加生产效率而要求更苛刻的切割条件,进一步加剧了这个问题。特别是,随着晶圆变得更薄,以前不是问题的毛边,被发现逐渐增多地从芯片向上突出,从而显著降低了晶片的贴附加工性,并且污染图案而降低了封装可靠性。
为了减少这种毛边,大多数已知技术适用来改变膜的物理性能或例如工艺条件的参数。然而,当通过调整切割工艺的参数试图抑制毛边时,在随后的工序(即芯片粘合工序)中扩张性降低,或者晶片不容易拾取。另外,当晶片被拾取时,位置误差在进行芯片粘合时出现,或者由于切割不充分而在芯片上出现碎屑。
在半导体封装过程中,在切割工序之后,将包括从膜上剥离的粘合剂层的晶片与布线基板(例如引线框等)粘合,然后进行包括塑封工序的后续工序。目前,在芯片粘合工序之后,必须在高温下进行预固化工序。所述预固化工序是为了防止故障,例如,当另一个半导体晶片从膜上剥离并叠置在布线基板的晶片上时,下方晶片被推动的现象;和晶片由于模压树脂的流动而偏向一侧的现象。然而,当进行预固化工序时,粘合剂开始固化,因此在随后的工序中,对于半导体基板的嵌入性降低。另外,由于在预固化工序中施加的热,晶圆或基板变得翘曲,所以当进行金属线接合时可能发生例如弹起的故障。像这样,有可能大幅降低半导体封装的可靠性。
发明内容
为了克服现有技术中出现的问题,提供了一种芯片贴附膜,一种使用该芯片贴附膜的半导体晶圆以及一种使用该半导体晶圆的半导体封装方法。
本发明的一个方面提供了一种芯片贴附膜,其包括:基底膜,形成于所述基底膜上的压敏粘合剂部分和形成于所述压敏粘合剂部分上的粘合剂部分。在该芯片贴附膜中,基底膜、压敏粘合剂部分和粘合剂部分的厚度分别由A、B和C表示,且B/A的值在0.15~0.5的范围内,B/C的值在0.2~4的范围内。
本发明的另一方面提供了一种包括所述芯片贴附膜的半导体晶圆,其中,所述芯片贴附膜的粘合剂部分贴附于所述晶圆的一个表面上,且所述芯片贴附膜的基底膜或压敏粘合剂部分固定于晶圆环框上。
本发明的另一方面提供了一种半导体封装方法,该方法包括切割根据本发明的半导体晶圆,和拾取通过切割步骤制得的半导体晶片。
有益效果
根据本发明,可以提供一种芯片贴附膜,该芯片贴附膜在切割过程中可以防止毛边或飞屑,并且在芯片粘合过程中表现出优异的扩张和拾取特性。此外,所述芯片贴附膜在金属线接合或塑封过程中可以防止晶片的脱离、晶片的转移或晶片的偏离。因此,根据本发明,在半导体封装过程中可以改善嵌入性、抑制晶圆或布线基板的翘曲以及增加生产率。
具体实施方式
本发明涉及一种芯片贴附膜。所述芯片贴附膜包括基底膜、形成于该基底膜上的压敏粘合剂部分和形成于该压敏粘合剂部分上的粘合剂部分。
在芯片贴附膜中,基底膜、压敏粘合剂部分和粘合剂部分的厚度分别由A,B和C表示,且B/A的值在0.15~0.5的范围内,B/C的值在0.2~4的范围内。
在下文中,将详细描述本发明的芯片贴附膜。
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





