[发明专利]芯片贴附膜

权利要求书

1.一种芯片贴附膜，包括：

基底膜；

形成于所述基底膜上的压敏粘合剂部分；和

形成于所述压敏粘合剂部分上的粘合剂部分，

其中，当所述基底膜、所述压敏粘合剂部分和所述粘合剂部分的厚度分别由A、B和C表示时，B/A在0.15～0.5的范围内，B/C在0.2～4的范围内。

2.根据权利要求1所述的芯片贴附膜，其中，B/A在0.2～0.4的范围内。

3.根据权利要求1所述的芯片贴附膜，其中，B/C在0.5～3的范围内。

4.根据权利要求1所述的芯片贴附膜，其中，所述基底膜在垂直方向上的伸长率与所述基底膜在水平方向上的伸长率之间的差不大于该基底膜在垂直方向上的伸长率的10%。

5.根据权利要求1所述的芯片贴附膜，其中，所述基底膜的厚度为10μm～200μm。

6.根据权利要求1所述的芯片贴附膜，其中，所述压敏粘合剂部分的厚度为10μm～40μm。

7.根据权利要求1所述的芯片贴附膜，其中，所述粘合剂部分包括环氧树脂、具有低弹性的高分子量树脂和硬化剂。

8.根据权利要求7所述的芯片贴附膜，其中，所述环氧树脂包括选自双酚A环氧树脂、双酚F环氧树脂、甲酚线型酚醛环氧树脂、苯酚线型酚醛环氧树脂、四官能环氧树脂、联苯型环氧树脂、三酚甲烷环氧树脂、烷基改性的三酚甲烷环氧树脂、萘环氧树脂、二环戊二烯环氧树脂和二环戊二烯改性的酚环氧树脂中的至少一种。

9.根据权利要求7所述的芯片贴附膜，其中，所述环氧树脂是双官能环氧树脂和多官能环氧树脂的混合树脂。

10.根据权利要求9所述的芯片贴附膜，其中，相对于100重量份的所述多官能环氧树脂，所述混合树脂包含10～50重量份的双官能环氧树脂。

11.根据权利要求7所述的芯片贴附膜，其中，相对于100重量份的所述具有低弹性的高分子量树脂，所述环氧树脂的含量为10～200重量份。

12.根据权利要求7所述的芯片贴附膜，其中，所述具有低弹性的高分子量树脂的玻璃化转变温度为–20℃～40℃，重均分子量为100,000～1,000,000。

13.根据权利要求7所述的芯片贴附膜，其中，所述具有低弹性的高分子量树脂包括选自聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚酯酰亚胺、聚酰胺、聚醚砜、聚醚酮、聚烯烃、聚氯乙烯、苯氧基树脂、活性丙烯腈丁二烯橡胶和丙烯酸类树脂中的至少一种。

14.根据权利要求7所述的芯片贴附膜，其中，所述硬化剂是羟基值为100～1,000的酚树脂。

15.根据权利要求7所述的芯片贴附膜，其中，相对于100重量份的所述环氧树脂，所述硬化剂的含量是30～100重量份。

16.根据权利要求7所述的芯片贴附膜，其中，相对于100重量份的所述环氧树脂，所述粘合剂部分还包含0.1～10重量份的固化促进剂。

17.根据权利要求16所述的芯片贴附膜，其中，所述固化促进剂是咪唑化合物、三苯基膦或叔胺化合物。

18.根据权利要求1所述的芯片贴附膜，其中，所述粘合剂部分在130℃下的粘着力为50gf～150gf。

19.根据权利要求1所述的芯片贴附膜，其中，所述粘合剂部分在150℃下的剪切强度为4.0MPa或大于4.0MPa。

20.根据权利要求1所述的芯片贴附膜，其中，所述粘合剂部分的厚度是1μm～200μm。

21.一种半导体晶圆，包括权利要求1所述的芯片贴附膜，其中，所述芯片贴附膜的粘合剂部分贴附在所述晶圆的一个表面上；且所述芯片贴附膜的基底膜或压敏粘合剂部分固定在该晶圆的环框上。

22.一种半导体封装方法，包括：

切割权利要求21所述的半导体晶圆；和

拾取通过上述切割步骤制得的半导体晶片。