[发明专利]半导体激光模块及抑制构件

权利要求书

1.一种半导体激光模块，在温度控制元件的上部隔着至少一个基台配置有进行光耦合的多个光学元件，其特征在于，

为了抑制所述至少一个基台的与温度变化相伴的变形，在所述至少一个基台的变形部分的至少一部分上配置有抑制构件，所述抑制构件为了抑制所述至少一个基台的变形而具有对所述至少一个基台的线膨胀系数进行补偿的大小的线膨胀系数。

2.如权利要求1所述的半导体激光模块，其特征在于，

所述至少一个基台包含：搭载半导体激光元件的第一基台、和搭载至少一个所述光学元件且装载于所述第一基台上的第二基台，在所述第一基台和/或所述第二基台的表面配置有所述抑制构件。

3.如权利要求2所述的半导体激光模块，其特征在于，

所述第一基台的线膨胀系数和所述第二基台的线膨胀系数的大小关系与所述第二基台的线膨胀系数和所述抑制构件的线膨胀系数的大小关系为相反的关系。

4.如权利要求2所述的半导体激光模块，其特征在于，

所述第一基台的线膨胀系数和所述第一基台的层厚的乘法运算值，与配置于所述第二基台上的所述抑制构件的所述线膨胀系数和该抑制构件的层厚的乘法运算值大致相等、或比其小。

5.如权利要求1～4中任一项所述的半导体激光模块，其特征在于，

所述抑制构件配置于不存在所述光学元件的表面，并采用抑制所述变形的形状。

6.如权利要求2～4中任一项所述的半导体激光模块，其特征在于，

所述第二基台的固定光学元件的端部以单悬臂梁结构装载于所述第一基台上。

7.一种半导体激光模块，在温度控制元件的上部隔着多个基台配置有多个光学元件，其特征在于，

所述多个基台中的至少一个基台是抑制层，该抑制层为了对包含于所述多个基台的该至少一个基台之外其他基台的与温度变化相伴的由线膨胀系数的差异所产生的变形进行抑制，而具有抑制所述其他基台的变形的线膨胀系数。

8.如权利要求7所述的半导体激光模块，其特征在于，

在所述多个基台的表面配置有用于对所述多个基台的与温度变化相伴的变形进行抑制的抑制构件。

9.如权利要求1～8中任一项所述的半导体激光模块，其特征在于，

所述温度控制元件和其上的基台仅在中央部周边接触。

10.如权利要求1～9中任一项所述的半导体激光模块，其特征在于，

在所述抑制构件的上部还配置有光学元件。

11.如权利要求1～10中任一项所述的半导体激光模块，其特征在于，

在所述抑制构件的上部设置有散热结构。

12.一种抑制构件，对因温度变化而产生翘曲的基台的翘曲进行抑制，其特征在于，

通过补偿基台的线膨胀系数的差异而抑制基台的翘曲。