[发明专利]半导体集成电路的电源布线构造

权利要求书

1.一种半导体集成电路的电源布线构造，其特征在于，具备：

电源布线，其配置于中间至少夹着一个中间布线层的两个相互不同的布线层；和

单无边叠层孔，其将配置于所述两个布线层的电源布线之间电连接而构成布线连接部。

2.根据权利要求1所述的半导体集成电路的电源布线构造，其特征在于，

构成所述布线连接部的单无边叠层孔具有：

单通孔，其分别配置于位于所述两个布线层之间的两个以上的绝缘层；和

布线，其配置于所述中间布线层，具有与所述各绝缘层的单通孔相同的剖面形状，

所述各绝缘层的各单通孔和所述中间布线层的布线以在同一垂直线上交替地重叠的状态电连接而构成单元。

3.根据权利要求2所述的半导体集成电路的电源布线构造，其特征在于，

所述单无边叠层孔的单元由如下部分构成：

单通孔，其在3个绝缘层上分别配置一个；和

布线，其在所述3个绝缘层所夹着的两个中间布线层上分别配置1条。

4.根据权利要求2所述的半导体集成电路的电源布线构造，其特征在于，

形成多条所述单无边叠层孔的单元，

所述各单元间的间隔为等间隔。

5.根据权利要求2所述的半导体集成电路的电源布线构造，其特征在于，

形成多条所述单无边叠层孔的单元，

所述各单元间的间隔为等间隔和不等间隔混合存在。

6.根据权利要求2所述的半导体集成电路的电源布线构造，其特征在于，

形成多条所述单无边叠层孔的单元，

在所述多条单元中的相邻的任意2个单元间的区域中配置信号布线。

7.根据权利要求6所述的半导体集成电路的电源布线构造，其特征在于，

所述单无边叠层孔和所述信号布线的间隔等于所述信号布线和与该信号布线相邻的其他信号布线的间隔。

8.根据权利要求1或2所述的半导体集成电路的电源布线构造，其特征在于，

具备：

所述单无边叠层孔，其构成所述布线连接部；和

多叠层孔，其将配置于所述两个布线层的电源布线之间电连接而构成其他布线连接部。

9.根据权利要求8所述的半导体集成电路的电源布线构造，其特征在于，

所述多叠层孔具有：

通孔，其在位于所述两个布线层之间的两个以上的绝缘层中分别配置多个；和

布线，其配置于所述中间布线层，以从平面来观察所述各绝缘层的多个通孔时包含于内部的方式具有焊盘部，

所述各绝缘层的多个通孔和所述中间布线层的布线以在同一垂直线上交替地重叠的状态电连接。

10.根据权利要求8或9所述的半导体集成电路的电源布线构造，其特征在于，

构成所述布线连接部的所述单无边叠层孔配置于信号布线区域，

构成所述其他布线连接部的所述多叠层孔配置于信号没有被布线的非布线区域。

11.根据权利要求8或9所述的半导体集成电路的电源布线构造，其特征在于，

构成所述其他布线连接部的所述多叠层孔配置于信号布线区域中的信号布线密度为规定密度的区域，

构成所述布线连接部的所述单无边叠层孔配置于所述信号布线区域中的信号布线密度高于所述规定密度的布线区域。

12.根据权利要求10或11所述的半导体集成电路的电源布线构造，其特征在于，

所述单无边叠层孔配置于多处，

所述多处的单无边叠层孔间的间隔比所述多叠层孔的同一绝缘层内的多个的通孔间的间隔宽。