[发明专利]锗烷纯化无效
| 申请号： | 200980154667.4 | 申请日： | 2009-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN102282107A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 加里·D·米勒 | 申请（专利权）人： | 伏太斯公司 |
| 主分类号： | C01G17/00 | 分类号： | C01G17/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李新红 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纯化 | ||
1.一种制备纯化的锗烷产品的方法，包括：提供含有磷化氢的锗烷气体；使该含有磷化氢的锗烷气体通过吸附剂，其选择性吸附含有的磷化氢，以产生纯化的锗烷气体。
2.权利要求1的方法，其中所述纯化的锗烷气体含有低于50ppb的磷化氢。
3.权利要求1的方法，其中所述含有磷化氢的锗烷气体最多占氢气的约40％。
4.权利要求1的方法，其中所述含有磷化氢的锗烷气体占氢气的约20-40％。
5.权利要求3的方法，还包括从氢气中分离纯化的锗烷产品。
6.权利要求1的方法，其中所述吸附剂是沸石。
7.权利要求1的方法，其中所述吸附剂是分子筛，其选自4A、5A、10X、13X及其组合。
8.权利要求7的方法，其中所述分子筛是5A。
9.权利要求1的方法，其中所述吸附剂具有约4埃或更大的有效孔径。
10.权利要求1的方法，其中所述吸附剂具有约4埃的有效孔径。
11.权利要求1的方法，其中所述吸附剂被干燥。
12.权利要求1的方法，其中所述吸附剂通过使锗烷通过干燥的吸附剂进行调节。
13.权利要求1的方法，其中所述吸附剂在干燥气体净化下干燥约4-12小时。
14.权利要求1的方法，其中所述吸附剂在200℃-300℃下干燥。
15.权利要求1的方法，其中所述吸附剂通过使锗烷气流通过吸附剂进行调节，直到锗烷不再显著地保留在吸附剂中。
16.调节吸附剂的方法，包括：干燥吸附剂和通过使锗烷通过干燥的吸附剂从而调节吸附剂。
17.权利要求16的方法，其中所述吸附剂在200℃-300℃下干燥。
18.权利要求16的方法，其中所述吸附剂在干燥气体净化下干燥约4-12小时。
19.权利要求16的方法，其中所述吸附剂通过使锗烷气流通过吸附剂进行调节，直到锗烷不再显著地保留在吸附剂中。
20.权利要求16的方法，其中所述吸附剂是静态床。
21.权利要求16的方法，其中所述吸附剂是流通床。
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