[发明专利]用于引导辐射束的光学模块有效

专利信息
申请号: 200980151391.4 申请日: 2009-10-19
公开(公告)号: CN102257421A 公开(公告)日: 2011-11-23
发明(设计)人: 马库斯.豪夫;塞韦林.沃尔迪斯;威尔弗里德.诺埃尔;伊维斯.彼得蒙德;马科.杰斯曼;洛萨.库尔泽;卡格拉.阿塔曼 申请(专利权)人: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
主分类号: G02B7/18 分类号: G02B7/18;G03F7/20
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 吴艳
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 用于 引导 辐射 光学 模块
【说明书】:

技术领域

发明涉及用于引导极紫外(EUV)辐射束的光学模块。本发明还涉及:用于激励这种类型的光学模块的个体反射镜的方法;用于这种类型的光学模块中的反射镜;用于微光刻投射曝光系统的照明光学系统,所述照明光学系统利用来自辐射源的照明光来照明物场;照明系统,所述照明系统具有这种类型的照明光学系统和辐射源;具有这种类型的照明系统的投射曝光系统;利用这种类型的投射曝光系统来产生微结构的部件的方法;和由这种类型的方法所产生的微结构的或纳米结构的部件。

背景技术

由US 6,658,084 B2已知一种带反射镜的光学模块,该光学模块包括能通过致动器发生位移的多个个体反射镜。

在用于微光刻投射曝光系统的照明光学系统,在投射曝光系统的工作过程中,特别是在以5nm和30nm之间范围的极紫外(Extreme Ultra Violet,EUV)辐射工作的过程中,热能沉积在各反射镜中,所述照明光学系统要么仅以令人无法忍受的低辐射输出工作于要求的照明任务,要么对于辐射吞吐量,即对于所使用的和所产生的EUV辐射之间的比,有着令人无法忍受的高损失。

发明内容

因此,本发明的目的是开发一种在一开始所提及的类型的光学模块,使得利用所述光学模块能构造一种照明光学系统,所述照明光学系统即使在个体反射镜上有不可忽视的热负荷也能确保高辐射或照明光吞吐量。

此目的根据本发明由具有权利要求1所公开的特征的光学模块、具有权利要求14所公开的特征的光学模块、和具有权利要求26所公开的特征的光学模块实现。

根据本发明的第一方面,如本发明权利要求1所述的光学模块,减少了中央控制装置与个体反射镜的致动器之间的信号传送的要求。与空间临近的个体反射镜相关联的集成电子位移电路承担信号处理任务的至少一些,所述信号处理任务要不然将落在中央控制装置上。结果,电路布置能被实现用于致动器,其中,总体地在光学模块的区域中,实现了寄生电磁场、残余热的发生和紧凑结构的更适宜的比例。借助于所述光学模块被引导的辐射束可以是部分辐射束,也就是总辐射束的一部分。能经由所述光学模块引导的所述辐射束可以是EUV辐射束。

根据权利要求2构造的集成电子位移电路使得可以实现多个这种类型的位移电路的共同激励,例如借助于串行总线系统。这容许以进一步简化的结构来激励所述光学模块的致动器。

如权利要求3所述的容纳容许实现所述光学模块的紧凑结构。

致动器借助于保护性超低电压所实现的激励避免了来自更高电压的危险。保护性超低电压在此情况下用于表示小于48V的电压。集成电子位移电路的激励可借助于小于20V、小于10V和特别是小于5V的电压来实现。特别是,可采用+/-1V的激励电压。于是,借助于所述集成电子位移电路,使得洛伦兹致动器的功率要求就地释除,从而可采用具有每单位长度匝数较少的线圈的洛伦兹致动器来产生磁场。

如权利要求5所述的线布置避免不期望的干扰磁场的产生。

如权利要求6所述的布置容许在集成电子位移电路与洛伦兹致动器的个体线圈之间短连接线的使用。

如权利要求7所述的激励电路板的多层结构容许紧凑的电连接技术。

如权利要求8所述的基板层容许散失热量而同时具有高的机械稳定性。基板层的材料的示例为陶瓷材料、硅、二氧化硅、氮化铝和氧化铝,例如Al2O3-陶瓷。这种基板层的激励电路板可借助于铜镀覆陶瓷(Copper Plated Ceramic,CPC)技术、借助于低温共烧陶瓷(Low Temperature Cofired Ceramics,LTCC)技术或借助于高温共烧陶瓷(High Temperature Cofired Ceramics,HTCC)技术或类似的相关类型技术进行生产。

如权利要求9所述的散热器容许热输入的良好散热,所述热输入一方面对由光学模块的反射镜所反射的有用辐射的残余吸收而输入,另一方面由致动器的供电而输入。

如权利要求10所述的散热指状件容许来自激励电路板的热的有效散失。

如权利要求11所述的永磁体已被证明成功用于洛伦兹致动器中。所述永磁体可构造成钐钴磁体。所有适合用于真空的、高度磁性的磁体材料组合都是可能的替代。根据布置有洛伦兹致动器的、可选地呈现低压的环境中的填充气体,也可使用其它的磁性材料例如铷铁硼(NdFeB)。

如权利要求12所述的关联,是一种有利的折中,该折中高效地使用集成电子位移电路的效能并且容许紧凑的布置。

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