[发明专利]薄膜型太阳能电池及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种太阳能电池，尤其涉及一种薄膜型太阳能电池。

背景技术

具有半导体特性的太阳能电池将光能转换成电能。

根据相关技术的太阳能电池的结构和原理将简单地阐述如下。太阳能电池形成在PN结结构中，其中正(P)型半导体与负(N)型半导体接合。当太阳光线入射到具有PN结结构的太阳能电池上时，太阳光线的能量使得在半导体中产生空穴(+)和电子(-)。在PN结区域中产生的电场的作用下，空穴(+)向着P型半导体迁移，电子(-)向着N型半导体迁移，从而随着电动势的出现而产生了电能。

太阳能电池可以被大致分成晶片型太阳能电池和薄膜型太阳能电池。

晶片型太阳能电池采用由诸如硅的半导体材料制成的晶片。同时，薄膜型太阳能电池通过在玻璃基板上形成薄膜型半导体来制造。

就效率而言，晶片型太阳能电池比薄膜型太阳能电池好。然而，在晶片型太阳能电池的情况中，由于执行制造工艺的困难而难以实现小的厚度。此外，晶片型太阳能电池采用价高的半导体基板，由此其制造成本增加。

尽管薄膜型太阳能电池效率不及晶片型太阳能电池，薄膜型太阳能电池仍具有诸如外形薄和使用的材料价廉的优势。因此薄膜型太阳能电池适于大规模生产。

下面将参考附图描述相关技术的薄膜型太阳能电池。

图1是图示相关技术的薄膜型太阳能电池的截面图。

如图1所示，相关技术的的薄膜型太阳能电池包括：基板10、在基板10上的前电极层30、在前电极层30上的半导体层40、在半导体层40上的透明导电层50、以及在透明导电层50上的后电极层60。

然而，相关技术的薄膜型太阳能电池具有下面的缺点。

为了提高太阳能电池的效率，必须增加空穴和电子的产生速率以增加太阳光线穿过半导体层40的路径长度。然而，相关技术的薄膜型太阳能电池不可能获得半导体层40中太阳光线的增加的路径长度，从而难以获得期望的电池效率。

通常，基板10由含碱离子的玻璃形成。在高温沉积工艺中，玻璃基板10中含有的碱离子向前电极层30迁移，从而迁移的碱离子充当杂质的作用，因此降低了电池效率。

公开内容

因此，鉴于上述问题而设计了本发明，并且本发明的方面是提供能够防止相关技术中的一个或更多个问题的薄膜型太阳能电池及其制造方法。

本发明的一个目的是提供能够通过增加半导体层中的太阳光线的路径长度而提高电池效率的薄膜型太阳能电池及其制造方法。

本发明的另一个目的是提供能够通过防止基板中含有的碱离子向前电极层迁移的薄膜型太阳能电池及其制造方法。

为了实现这些目的和其他优点，并根据本发明的目的，如这里具体和概括描述的，提供一种太阳能电池，包括：基板；包含珠粒和粘结剂的光散射膜，其中提供粘结剂来粘结珠粒；在光散射膜上的前电极层；在前电极层上的半导体层；和在半导体层上的后电极层。

在本发明的另一方面，提供一种薄膜型太阳能电池，包括：其中包含珠粒的基板；在基板上的前电极层；在前电极层上的半导体层；和在半导体层上的后电极层。

在本发明的另一方面，提供一种用于制造薄膜型太阳能电池的方法，包括：在基板上形成光散射膜，其中光散射膜包含珠粒和粘结剂，粘结剂用来粘结珠粒；在光散射膜上形成前电极层；在前电极层上形成半导体层；和在半导体层上形成后电极层。

在本发明的另一方面，提供一种用于制造薄膜型太阳能电池的方法，包括：制备其中包含珠粒的柔性基板；在柔性基板上形成前电极层；在前电极层上形成半导体层；和在半导体层上形成后电极层。

附图说明

图1是图示相关技术的薄膜型太阳能电池的截面图；

图2是图示根据本发明第一实施例的薄膜型太阳能电池的截面图；

图3(A到C)是图示根据本发明实施例的各种类型珠粒的截面图；

图4是图示根据本发明另一个实施例的薄膜型太阳能电池的截面图；

图5是图示根据本发明另一个实施例的薄膜型太阳能电池的截面图；

图6(A到E)是图示根据本发明一个实施例的用于制造薄膜型太阳能电池的方法的一系列截面图；

图7(A到E)是图示根据本发明另一个实施例的用于制造薄膜型太阳能电池的方法的一系列截面图；

图8(A到E)是图示根据本发明另一个实施例的用于制造薄膜型太阳能电池的方法的一系列截面图。

最佳实施方式