[发明专利]薄膜型太阳能电池及其制造方法无效
申请号: | 200980151262.5 | 申请日: | 2009-12-22 |
公开(公告)号: | CN102257631A | 公开(公告)日: | 2011-11-23 |
发明(设计)人: | 金泰勋 | 申请(专利权)人: | 周星工程股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;钟强 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
1.一种薄膜型太阳能电池,包括:
基板;
包含珠粒和粘结剂的光散射膜,其中提供所述粘结剂用来粘结所述珠粒;
在所述光散射膜上的前电极层;
在所述前电极层上的半导体层;和
在所述半导体层上的后电极层。
2.如权利要求1所述的薄膜型太阳能电池,其中与所述基板接触的所述光散射膜的材料与所述基板或所述前电极层的材料折射率不同。
3.如权利要求1所述的薄膜型太阳能电池,其中所述光散射膜中含有的所述珠粒的材料与所述光散射膜中含有的所述粘结剂的材料折射率不同。
4.如权利要求1所述的薄膜型太阳能电池,其中通过混合折射率彼此不同的多个珠粒来形成所述珠粒。
5.如权利要求1所述的薄膜型太阳能电池,其中所述珠粒包括芯部和表层,其中所述芯部被所述表层包围,并且芯部的材料与表层的材料折射率不同。
6.如权利要求1所述的薄膜型太阳能电池,其中所述光散射膜设置有不平整表面。
7.如权利要求1所述的薄膜型太阳能电池,其中所述前电极层不设置有不平整表面。
8.如权利要求1所述的薄膜型太阳能电池,其中所述半导体层包括第一半导体层和第二半导体层,在该第一半导体层和该第二半导体层之间有缓冲层。
9.如权利要求1所述的薄膜型太阳能电池,还包括在所述半导体层和所述后电极层之间的透明导电层。
10.一种薄膜型太阳能电池,包括:
其中包含珠粒的基板;
在所述基板上的前电极层;
在所述前电极层上的半导体层;以及
在所述半导体层上的后电极层。
11.如权利要求10所述的薄膜型太阳能电池,其中所述珠粒的材料与所述基板和所述前电极层的材料折射率不同。
12.一种用于制造薄膜型太阳能电池的方法,包括:
在基板上形成光散射膜,其中所述光散射膜包含珠粒和粘结剂,所述粘结剂用来粘结所述珠粒;
在所述光散射膜上形成前电极层;
在所述前电极层上形成半导体层;以及
在所述半导体层上形成后电极层。
13.如权利要求12所述的方法,其中形成光散射膜的步骤是通过印刷方法、溶胶-凝胶方法、浸涂方法、或旋涂方法来实施的。
14.如权利要求13所述的方法,其中形成光散射膜的步骤包括在该膜形成之后进行的附加的烧结工艺,以改善基板与光散射膜之间的粘合。
15.如权利要求12所述的方法,其中所述光散射膜的材料与所述基板或前电极层的材料折射率不同。
16.如权利要求12所述的方法,其中所述珠粒的材料与所述粘结剂的材料折射率不同。
17.如权利要求12所述的方法,其中所述珠粒是通过混合彼此的折射率不同的多个珠粒而形成的。
18.如权利要求12所述的方法,其中所述珠粒包括芯部和表层,其中所述芯部被所述表层包围,并且所述芯部的材料与所述表层的材料折射率不同。
19.如权利要求12所述的方法,其中所述光散射膜设置有不平整表面。
20.如权利要求12所述的方法,其中形成前电极层的步骤是通过如下方式实施的:通过沉积工艺直接形成具有不平整表面的前电极层;或者通过沉积工艺形成具有平整表面的前电极层,然后通过蚀刻工艺在所述前电极层中形成不平整表面。
21.如权利要求12所述的方法,其中所述前电极层不设置有不平整表面。
22.如权利要求12所述的方法,还包括在所述半导体层和所述后电极层之间另外形成透明导电层。
23.如权利要求12所述的方法,其中所述半导体层包括第一半导体层和第二半导体层,在该第一半导体层和该第二半导体层之间有缓冲层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的