[发明专利]发射辐射的装置有效
| 申请号: | 200980149588.4 | 申请日: | 2009-10-06 |
| 公开(公告)号: | CN102239580A | 公开(公告)日: | 2011-11-09 |
| 发明(设计)人: | 阿尔维德·洪策;邱建树;拉尔夫·克劳泽;弗兰克·施泰因巴赫尔 | 申请(专利权)人: | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李德山;周涛 |
| 地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 德国;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发射 辐射 装置 | ||
本发明涉及一种带有发射器层的发射辐射的装置,该发射器层包含基质材料、发射辐射的发射器和发磷光的激子捕获器。
本专利申请要求德国专利申请DE 10 2008 063 589.8和德国专利申请DE 10 2008 050 331.2的优先权,其公开内容通过引用结合于此。
高效的、发磷光的发射器是开发高效有机发光二极管(OLED)以及显示器应用和照明应用的前提条件之一。对此决定性的一方面是单个发射器分子的量子效率并且另一方面是发射器总体的量子效率、电流效率以及系统的功率效率(即单位电功率的光功率)。
本发明的任务是,提供一种具有改进的效率的发射辐射的装置。
该任务通过根据独立权利要求所述的装置来解决。其他改进方案是从属权利要求的主题。
根据本发明的发射辐射的装置包括衬底、第一电极和第二电极以及设置在第一电极和第二电极之间的发射器层。该发射器层具有基质材料,该基质材料包含0.5~5重量%的发射辐射的发射器和5~30重量%的发磷光的激子捕获器。激子捕获器的重量比例在此高于发射辐射的发射器的重量比例。此外,发磷光的激子捕获器的发射最大值处于比发射辐射的发射器的发射最大值更短的波长处。发射辐射的装置的发射器层的电流效率相对于不包含激子捕获器的发射器层的电流效率而提高,尤其是提高了至少10%。
通过根据本发明的、除了基质材料和发射辐射的发射器之外还包括发磷光的激子捕获器的发射器层,可能相对于没有激子捕获器的发射器层提高发射器层的电流效率。于是,掺杂材料的传导性引起更好的载流子平衡以及引起更低的电压;除了提高的量子效率之外,这还导致改进了功率效率。更好的载流子平衡的原因在于,基质传输多数载流子,并且激子捕获器传输少数载流子(例如在传输空穴的基质情况下,电子通过激子捕获器的LUMO传输)。因此,添加激子捕获器也能够实现使用发射器材料,其仅仅在小的浓度中具有最高的光致发光效率并且由此例如具有良好的长期稳定性,即考虑用于高效OLED。
电极以及设置在第一电极和第二电极之间的发射器层。该发射器层具有基质材料,该基质材料包含0.5~5重量%的发射辐射的发射器和5~30重量%的激子捕获器,尤其是5~30重量%的发磷光的激子捕获器。因此,激子捕获器的重量比例高于发射辐射的发射器的重量比例。此外,发磷光的激子捕获器的发射最大值处于比发射辐射的发射器的发射最大值更短的波长处。发射辐射的装置的发射器层的电流效率相对于不包含激子捕获器的发射器层的电流效率而提高,尤其是提高了至少10%。
通过根据本发明的、除了基质材料和发射辐射的发射器之外还包括发磷光的激子捕获器的发射器层,可能相对于没有激子捕获器的发射器层提高发射器层的电流效率。于是,掺杂材料的传导性导致更好的载流子平衡以及导致更低的电压;除了提高的量子效率之外,这导致改进了功率效率。更好的载流子平衡的原因在于,基质传输多数载流子,并且激子捕获器传输少数载流子(例如在传输空穴的基质情况下,电子通过激子捕获器的LUMO传输)。因此,添加激子捕获器也能够实现使用发射器材料,其仅仅在小的浓度中具有最高的光致发光效率并且由此例如具有良好的长期稳定性,即考虑用于高效OLED。这些材料(当它们并不存在于与激子捕获器的混合物中时)至少是良好适合的,因为在基质材料中包含的少量的发射器分子于是用作陷落中心,即降低了载流子移动性(因为载流子在陷落中心被“捕获”)。这导致提高了工作电压。
通过低集中度的发射器材料,也可以防止的是,尤其是在没有空间阻挡的发射器情况下在高浓度时出现分子的堆叠,这会导致所发射的光谱的红移。而激子捕获器的高浓度(除了上述效应之外)还使得这些激子捕获器并不用作载流子的陷落中心,而是可以进行载流子的良好传输。
在根据本发明的发射辐射的装置中包含的发射器层由此具有提高的电流效率(对比没有根据本发明的激子捕获器的发射器层),其通常提高了至少10%(尤其是在10cd/m2至1100cd/m2的发光密度情况下)。通常,电流效率甚至超过没有根据本发明的激子捕获器的相应发射器层的电流效率20%并且甚至25%(尤其是在10cd/m2至1100cd/m2的发光密度情况下)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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