[发明专利]发射辐射的装置有效
| 申请号： | 200980149588.4 | 申请日： | 2009-10-06 |
| 公开（公告）号： | CN102239580A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 阿尔维德·洪策;邱建树;拉尔夫·克劳泽;弗兰克·施泰因巴赫尔 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李德山;周涛 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发射 辐射 装置 | ||
1.一种发射辐射的装置，具有：
-衬底(1)；
-第一电极(2)和第二电极(9)；
-设置在第一电极和第二电极之间的至少一个发射器层(5)，其中该发射器层包括基质材料，0.5～5重量％的发射辐射的发射器以及5～30重量％的发磷光的激子捕获器，
其中激子捕获器的重量比例高于发射辐射的发射器的重量比例，
其中发射器层的电流效率相对于不带激子捕获器的发射器层的电流效率提高了至少10％，以及
其中与发射辐射的发射器相比，激子捕获器在更短的波长处具有发射最大值。
2.根据上一权利要求所述的发射辐射的装置，其中发射辐射的发射器是发磷光的发射器。
3.根据上述权利要求之一所述的发射辐射的装置，其中在电极和发射器层之间设置有电子传输层，并且激子捕获器的LUMO低于电子传输层的LUMO。
4.根据上一权利要求所述的发射辐射的装置，其中发射最大值的差至少为15nm。
5.根据上述权利要求之一所述的发射辐射的装置，其中由发射器层(5)发射的辐射基本上通过发射辐射的发射器产生。
6.根据上述权利要求之一所述的发射辐射的装置，其中在发射器层中的激子捕获器的发射最大值的标准化的发射的强度最大为发射辐射的发射器的发射最大值的强度的10％。
7.根据上述权利要求之一所述的发射辐射的装置，其中在发射器层中的激子捕获器的发射最大值的标准化的发射的强度最大为在由基质材料和激子捕获器构成的层中的激子捕获器的发射最大值的标准化的发射的10％。
8.根据上述权利要求之一所述的发射辐射的装置，其中在发射器层(5)中，在发射辐射的发射器上的激子寿命长于在激子捕获器上的激子寿命。
9.根据上述权利要求之一所述的发射辐射的装置，其中发射器层(5)的外部量子效率ηext相对于不带激子捕获器的发射器层的外部量子效率提高了至少20％。
10.根据上述权利要求之一所述的发射辐射的装置，其中发射辐射的发射器的光致发光量子产出大于激子捕获器的光致发光量子产出。
11.根据上述权利要求之一所述的发射辐射的装置，其中发射辐射的发射器的LUMO高于基质和/或激子捕获器的LUMO。
12.根据上述权利要求之一所述的发射辐射的装置，其中发射器层(5)的层厚度为10nm至40nm。
13.根据上述权利要求之一所述的发射辐射的装置，其具有至少一个另外的发射器层。
14.根据上一权利要求所述的发射辐射的装置，其中所述至少一个另外的发射器层包含发射辐射的发射器以及激子捕获器。
15.根据上述权利要求之一所述的发射辐射的装置，其中通过由第一发射器层(5)和所述至少一个另外的发射器层发射的辐射的叠加而发射白光。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
