[发明专利]电子部件的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及将带有粘合剂半固化层的半导体晶圆切割成芯片状时的电子部件的制造方法。

背景技术

已知电子部件的制造方法之一，包括：贴合工序，将晶圆或电子部件集合体贴合于粘合片上，其中，所述电子部件集合体是通过在绝缘基板上形成多个电路图案所形成的集合体；裁切、分离工序(切割工序)，将所贴合的晶圆或电子部件集合体裁切为单体以实现芯片化；紫外线照射工序，从粘合片侧照射紫外线使粘合剂层的粘合力减小；拾取工序，从粘合片上拾取被裁切而成的各芯片；固定工序，在所拾取的芯片底面涂布粘合剂后，通过该粘合剂将芯片固定于引线框等。

还有这样的方法，即：在裁切工序中，将晶圆或电子部件集合体贴合于粘合片，再将粘合片固定于环形框，然后裁切、分离(切割)成各个芯片。

有人提出了使用兼具切割用粘合片功能和用于将芯片固定于引线框等的粘合剂的功能的粘合片(芯片贴装薄膜一体式片材)的方法，这种粘合片是通过在上述制造方法所使用的粘合片上层叠芯片贴装薄膜所得到的(参考专利文献1、专利文献2)。在电子部件的制造中采用芯片贴装薄膜一体式片材，能够省略切割后的粘合剂涂布工序。较之于通过粘合剂接合芯片和引线框的方法，芯片贴装薄膜一体式片材在对粘合剂部分的厚度控制和粘合剂的溢出抑制方面表现优良。在芯片尺寸封装、堆叠封装、系统级封装等电子部件的制造中应用了芯片贴装薄膜一体式片材。

还有这样一种制造方法，即：预先在半导体晶圆上涂布膏状粘合剂，通过加热或紫外线照射的方式使粘合剂半固化为片状而形成粘合剂半固化层，由此可以省略切割后的粘合剂涂布工序。

然而，随着半导体部件的高度集成化，芯片的尺寸增大而厚度变小，从而切割后芯片的拾取工作困难的情况增多。而且，由于在切割时不仅要切割半导体晶圆，还要切割粘合剂半固化层和粘合片的粘合剂层，因此粘合剂半固化层和粘合剂层混杂在切割线处，即使在切割后通过进行紫外线照射以充分减小粘合力，芯片拾取时的剥离难度仍较大，从而有可能引起拾取不良。

专利文献1：日本国专利申请公开公报“特开2006-049509号公报”

专利文献2：日本国专利申请公开公报“特开2007-246633号公报”

发明的揭示

本发明鉴于上述问题而完成，目的在于提供一种在进行芯片拾取时易于剥离粘合片与粘合剂半固化层而使切割后的芯片拾取操作易于进行的半导体晶圆切割方法。

本发明提供一种带有粘合剂半固化层的半导体晶圆的切割方法，包括：粘合剂半固化层形成工序，在半导体晶圆的背面涂布膏状粘合剂并且对该膏状粘合剂进行加热或紫外线照射，使得膏状粘合剂半固化为片状，从而形成粘合剂半固化层；贴合工序，将在基膜上层叠紫外线固化型粘合剂后所得的粘合片贴合于所述粘合剂半固化层上；紫外线照射工序，对上述紫外线固化型粘合剂进行紫外线照射；切割工序，对贴合在上述粘合片上的所述粘合剂半固化层和所述半导体晶圆进行切割。

根据本发明的一种方式，所述紫外线固化型粘合剂至少含有：(甲基)丙烯酸酯聚合物、含有4个以上乙烯基的氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物、紫外线聚合引发剂和有机硅接枝聚合物。另外，根据本发明的一种方式，所述粘合剂半固化层至少含有：环氧树脂、聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂和有机硅树脂，并且，所述粘合剂半固化层的厚度为10μm以上。

通过上述切割方法，可以预先降低紫外线固化型粘合剂的粘合力并同时提高凝集力，在进行切割后拾取带有粘合剂半固化层的芯片时能够减少粘合剂半固化层与粘合片的紫外线固化型粘合剂层在切割线处发生的混杂。因此，能够抑制芯片拾取不良。

当然，也可以与现有方法同样地在切割工序之后再设一道紫外线照射工序。

实施发明的方式

以下，就本发明的实施方式进行说明。

在本说明书中，单体是指该单体本身或源于单体的结构。只要不进行特别的说明，则本说明书的份和％为质量基准。

另外，在本说明书中，(甲基)丙烯酰基是丙烯酰基和甲基丙烯酰基的总称。(甲基)丙烯酸等含有(甲基)的化合物等同样是名称中含有“甲基”的化合物和名称中不含“甲基”的化合物的总称。作为紫外线聚合性化合物的氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物的官能团数是指平均1个氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物分子的乙烯基数量。

<紫外线照射工序>

紫外线的光源没有特别限定，可以使用公知光源。作为紫外线的光源，可以列举：黑光灯、低压汞灯、高压汞灯、超高压汞灯、金属卤化物灯、准分子灯等。