[发明专利]树脂多层器件及其制造方法

权利要求书

1.一种树脂多层器件，其特征在于，具备：

基板、形成在所述基板上的第1树脂层、在所述第1树脂层上电气独立设置的第1及第2平衡信号传输路径、形成在所述第1及第2平衡信号传输路径上以及所述第1树脂层上的第2树脂层、在所述第2树脂层上与所述第1及第2平衡信号传输路径对置设置的不平衡信号传输路径、和形成在所述不平衡信号传输路径上以及所述第2树脂层上的第3树脂层，

所述第1平衡信号传输路径具有第1信号输出输入端和第1接地端，

所述第2平衡信号传输路径具有第2信号输出输入端和第2接地端，

所述不平衡信号传输路径具有信号输入输出端和开放端。

2.根据权利要求1所述的树脂多层器件，其特征在于，

还具备形成在所述基板上并且位于所述第1树脂层之下的第1GND层。

3.根据权利要求1所述的树脂多层器件，其特征在于，

还具备形成在所述基板之下的第1GND层。

4.根据权利要求1所述的树脂多层器件，其特征在于，

还具备位于所述第1及第2平衡信号传输路径以及所述不平衡信号传输路径的旁边的第1GND层。

5.根据权利要求2～4中任意一项所述的树脂多层器件，其特征在于，

还具备形成在所述第3树脂层上的第2GND层。

6.根据权利要求2～4中任意一项所述的树脂多层器件，其特征在于，所述基板是被植入了IC的半导体基板，

所述第1及第2平衡信号传输路径的接地端分别与所述第1GND层连接。

7.根据权利要求2～4中任意一项所述的树脂多层器件，其特征在于，还具备：

形成在所述第3树脂层上的第1、第2、第3、第4以及第5开口部；

第1焊锡凸块，其形成于所述第1开口部，与所述第1平衡信号传输路径的信号输出输入端电连接；

第2焊锡凸块，其形成于所述第2开口部，与所述第2平衡信号传输路径的信号输出输入端电连接；

第3焊锡凸块，其形成于所述第3开口部，与所述不平衡信号传输路径的信号输入输出端电连接；

第4焊锡凸块，其形成于所述第4开口部，与所述第1平衡信号传输路径的接地端电连接；以及

第5焊锡凸块，其形成于所述第5开口部，与所述第2平衡信号传输路径的接地端电连接。

8.根据权利要求2～4中任意一项所述的树脂多层器件，其特征在于，所述第1及第2平衡信号传输路径分别被配置成螺旋型。

9.根据权利要求2～4中任意一项所述的树脂多层器件，其特征在于，所述第1及第2平衡信号传输路径分别被配置成蜿蜒型。

10.根据权利要求2～4中任意一项所述的树脂多层器件，其特征在于，所述第1及第2平衡信号传输路径以及所述不平衡信号传输路径通过光泽镀覆形成。

11.根据权利要求2～4中任意一项所述的树脂多层器件，其特征在于，所述第1GND层设有窗，且所述第1GND层位于包含于所述基板中的电感之上。

12.根据权利要求2～4中任意一项所述的树脂多层器件，其特征在于，

所述第1及第2平衡信号传输路径被设置于在所述第1树脂层中设置的凹部。

13.根据权利要求2～4中任意一项所述的树脂多层器件，其特征在于，所述不平衡信号传输路径被设置于在所述第2树脂层中设置的凹部。

14.根据权利要求12所述的树脂多层器件，其特征在于，

所述不平衡信号传输路径被配置成与所述第1及第2平衡信号传输路径重叠的部分变少。