[发明专利]使用字线耦合的用于存储器的多趟次编程

权利要求书

1.一种用于操作非易失性存储的方法，包括：

(a)对串联存储元件的集合(200)中的特定存储元件(714)执行编程和验证操作，以将该特定存储元件的阈值电压提升到第一验证电平(V_va-pw1、V_vb-pw1、V_vc-pw1、V_vx-pw1)，以及在所述验证操作期间，将第一趟次电压(V_read-pw1)施加到所述串联存储元件的集合中的所述特定存储元件的相邻存储元件(724)；

(b)随后，对所述相邻存储元件执行编程和验证操作，以提升所述相邻存储元件的阈值电压；

(c)随后，对所述特定存储元件执行进一步的编程和验证操作，以将所述特定存储元件的阈值电压提升到所述第一验证电平之上的第二验证电平(V_va-pw2、V_vb-pw2、V_vc-pw2、V_vx-pw2)，且在所述进一步的验证操作期间，将与所述第一趟次电压不同的第二趟次电压(V_read-pw2)施加到所述相邻存储元件。

2.如权利要求1所述的方法，其中，步骤(b)将所述相邻存储元件的阈值电压提升到所述第一验证电平，所述方法还包括：

(d)在步骤(c)之后，对所述相邻存储元件执行进一步的编程和验证操作，以将所述相邻存储元件的所述阈值电压提升到所述第二验证电平。

3.如权利要求1或2所述的方法，其中：

所述第一趟次电压小于所述第二趟次电压。

4.如权利要求1至3中的任意一项所述的方法，还包括：

在步骤(a)中将所述第一趟次电压施加到所述相邻存储元件时，以及在步骤(c)中将所述第二趟次电压施加到所述相邻存储元件时，将相同的趟次电压(V_read-pass)施加到所述存储元件的集合中的至少一个其它存储元件。

5.如权利要求1至4中的任意一项所述的方法，其中，

所述相邻存储元件按编程顺序在所述特定存储元件之后。

6.权利要求1至5中的任意一项所述的方法，其中，

在步骤(a)的开始，所述特定存储元件的阈值电压处于被擦除状态(E)。

7.权利要求1至5中的任意一项所述的方法，其中，

在步骤(a)的开始，所述特定存储元件的阈值电压处于在所述第一验证电平之下且在被擦除状态(E)之上的中间电平(INT)。

8.一种非易失性存储装置，包括：

串联存储元件的集合(200)；以及

至少一个控制电路(1210、1250)，该至少一个控制电路用于：(a)对串联存储元件的集合中的特定存储元件(714)执行编程和验证操作，以将该特定存储元件的阈值电压提升到第一验证电平(V_va-pw1、V_vb-pw1、V_vc-pw1、V_vx-pw1)，且在所述验证操作期间，将第一趟次电压(V_read-pw1)施加到所述串联存储元件的集合中的所述特定存储元件的相邻存储元件(724)；(b)随后，对所述相邻存储元件执行编程和验证操作，以提升所述相邻存储元件的阈值电压；以及(c)随后，对所述特定存储元件执行进一步的编程和验证操作，以将该特定存储元件的阈值电压提升到在所述第一验证电平之上的第二验证电平(V_va-pw2、V_vb-pw2、V_vc-pw2、V_vx-pw2)，且在所述进一步的验证操作期间，将与所述第一趟次电压不同的第二趟次电压(V_read-pw2)施加到所述相邻存储元件。

9.如权利要求8所述的非易失性存储装置，其中，对所述特定存储元件执行的所述进一步的编程和验证操作将所述相邻存储元件的阈值电压提升到所述第一验证电平，且在对所述特定存储元件执行所述进一步的编程和验证操作之后，所述至少一个控制电路对所述相邻存储元件执行进一步的编程和验证操作，以将所述相邻存储元件的阈值电压提升到所述第二验证电平。