[发明专利]用于减少功率半导体接通过程中电磁放射的方法和装置有效
| 申请号： | 200980140618.5 | 申请日： | 2009-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN102177655A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | S·亨布格尔 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/16 | 分类号： | H03K17/16;H03K17/567 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李少丹;李家麟 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 减少 功率 半导体 接通 过程 电磁 放射 方法 装置 | ||
1.一种用于在功率半导体(16)的接通过程中借助电流预控制(25)减少电磁放射的方法，其中，所述功率半导体(16)控制负载(12)，使得在接通之后负载电流(IL、ID，3、ID，4)流过负载(12)和功率半导体(16)，所述负载电流的饱和值(ID，sat，3、ID，sat，4)确定所述功率半导体(16)的工作点，以及其中针对所述负载电流(IL、ID，3、ID，4)的不同饱和值(ID，sat，3、ID，sat，4)产生所述功率半导体(16)的不同工作点，其特征在于，通过电流预控制(25)预先规定的控制电流(IS、IG，3、IG，4)基本上划分成至少两个彼此相继的半波(44、46)，其中针对所述功率半导体(16)的相当于负载电流(ID，3)的最高饱和值(ID，sat，3)的工作点，当所述负载电流(IL、ID，3)大致达到了其最大值(ID，max，3)时，则在第一半波(44)之后跟随另一半波(46)。
2.按权利要求1所述的方法，其特征在于，所述控制电流(IS、IG，3、IG，4)的半波(44、46)的时间上的划分在功率半导体(16)的相当于低于最高饱和值(ID，sat，3)的饱和值(ID，sat，4)的工作点处保持不变。
3.按前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，所述控制电流(IS、IG，3、IG，4)的半波(44、46)分别近似相当于正的正弦形半波。
4.按前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，所述控制电流(IS、IG，3、IG，4)第二半波(46)的振幅高于所述第一半波(44)的振幅。
5.按前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，所述控制电流(IS、IG，3、IG，4)第二半波(46)的持续时间短于所述第一半波(44)的持续时间。
6.按前述权利要求之一所述的方法，其特征在于底层调节(48)，例如底层PI调节。
7.用于实施按权利要求1-6之一所述方法的装置(10)。
8.按权利要求7所述的装置(10)，其特征在于，所述功率半导体(16)是MOSFET(18)或者IGBT(20)。
9.按权利要求8所述的装置(10)，其特征在于，所述控制电流(IS)是MOSFET(18)或者IGBT(20)的栅极电流(IG，3、IG，4)。
10.按前述权利要求8或9之一所述的装置(10)，其特征在于，所述负载电流(IL)相当于MOSFET(18)的漏极电流(ID，3、ID，4)或者IGBT(20)的集电极电流。
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