[发明专利]透明导电膜蚀刻剂

说明书

技术领域

本发明涉及一种透明导电膜蚀刻剂，所述导电膜为微细图案并在平板显示器(FPD，Flat Panel Display)的制作工序中用于制作透明电极。

背景技术

透明导电膜是广泛应用于薄膜晶体管液晶显示器、等离子体平板显示器、电致发光显示器等中的薄膜。为了在上述平板显示装置中形成透明导电膜，需要蚀刻工序以形成所需要的微细图案。

此时使用的透明电极膜包括氧化铟锡膜、氧化铟锌膜和氧化锌膜，上述氧化铟锡膜、氧化铟锌膜和氧化锌膜用于在保护膜的上部形成氧化铟锡膜、氧化铟锌膜和氧化锌膜，然后以光刻胶作掩膜涂布之后，蚀刻氧化铟锡膜、氧化铟锌膜和氧化锌膜。

目前使用的透明导电膜蚀刻剂有：盐酸·硝酸的混合水溶液(王水)、盐酸·醋酸的混合水溶液、氯化铁水溶液、尿酸水溶液、磷酸水溶液、乙二酸(草酸)水溶液等。但是现有的透明导电膜蚀刻剂发现有如下问题。

首先，盐酸·硝酸混合水溶液(王水)和盐酸·醋酸混合水溶液尽管蚀刻速度快并且稳定，但由于盐酸或硝酸的挥发，蚀刻剂组合物的成分量变化很大，因此，发烟(fume)现象严重，污染作业环境，而且对薄膜晶体管液晶显示器的薄膜晶体管制作工序中用作电极材料的铜及铜合金造成侵蚀。

第二，氯化铁水溶液虽然蚀刻速度快并且安全，但相比较而言侧面蚀刻量大并且引发铁的污染。

第三，尿酸水溶液的侧面蚀刻量小且蚀刻性能较好，但溶液的经时变化很大。

第四，磷酸水溶液侵蚀铜膜，铜合金膜，钼膜，钼合金膜或其层积的多层膜，并且对透明导电膜中的氧化铟锡膜的蚀刻造成阻碍。

第五，乙二酸(草酸)水溶液蚀刻性能稳定并且不会发生经时变化，因此是比较好的蚀刻剂，但是在蚀刻时容易产生残渣，而且蚀刻溶液在使用后，蚀刻设备的内侧产生残留物(乙二酸结晶物)。

发明内容

要解决的技术问题

目前的透明导电膜蚀刻剂存在有如下缺点：在使用盐酸·硝酸混合水溶液(王水)、盐酸·醋酸水溶液、氯化铁水溶液、尿酸水溶液、磷酸水溶液、乙二酸水溶液等透明导电膜蚀刻剂时，有侧面蚀刻现象、经时变化现象、蚀刻时产生残渣现象以及侵蚀铜膜、铜合金膜、钼膜、钼合金膜或由上述膜层积的多层膜现象等。为解决上述问题，本发明提供一种能够进行选择的透明导电膜蚀刻剂。

本发明的透明导电膜蚀刻剂为含有抗蚀剂和经时变化抑制剂()的水溶液，能够完全消除现有透明导电膜蚀刻剂的缺点。尤其是本发明消除了现有透明导电膜蚀刻剂所存在的主要问题，即，蚀刻时产生残渣的现象和侵蚀铜膜、铜合金膜、钼膜、钼合金膜或由上述膜层积的多层膜现象，能够对透明导电膜进行选择性图案蚀刻。

技术方案

为解决上述问题，本发明提供一种具有选择性的透明导电膜蚀刻剂，所述导电膜为微细图案并在平板显示器(FPD，Flat Panel Display)的制作工序中用于制作透明电极，所述透明导电膜蚀刻剂含有：含卤化合物、氧化助剂、蚀刻调节剂、残渣调节剂、抗蚀剂、经时变化抑制剂以及水。

尤其是，本发明提供一种能够对透明导电膜进行选择性蚀刻图案的蚀刻剂，能够消除对用作薄膜晶体管电极材料的铜膜、铜合金膜、钼膜、钼合金膜或层积的多层膜的侵蚀现象。

另外，对上述各金属膜的厚度没有特别的限制，可以根据需要进行适当调节。更具体地，上述铜膜的厚度可大致层积为上述钼合金膜是指含有钨、钛、铌、铬、钽等可与钼一同形成合金的金属成分的钼膜。例如，钼合金膜可为：钼-钨(Mo-W)、钼-钛(Mo-Ti)、钼-铌(Mo-Nb)、钼-铬(Mo-Cr)、钼-钽(Mo-Ta)等。上述钼膜或钼合金膜的层积厚度可为

本发明的透明导电膜蚀刻剂由0.05～15重量％的含卤化合物、0.1～20重量％的氧化助剂、0.05～15重量％的蚀刻调节剂、0.1～15重量％的残渣抑制剂、0.3～10重量％的抗蚀剂和使蚀刻剂为100重量％的水组成，更详细地，本发明涉及不侵蚀铜膜、铜合金膜、钼膜、钼合金膜或由此层积的多层膜的透明导电膜蚀刻剂。

本发明的蚀刻剂中所含有的含卤化合物为蚀刻透明导电膜的主要氧化剂。对上述含卤化合物没有特别的限定，只要能在溶液中溶解为卤离子或多原子卤离子的化合物即可，具体地可具有如下化学式(1)结构。

化学式(1)

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