[发明专利]透明导电膜蚀刻剂

权利要求书

1.一种透明导电膜蚀刻剂，其特征在于，由0.05～15重量％的含卤化合物、0.1～20重量％的氧化助剂、0.05～15重量％的蚀刻调节剂、0.1～15重量％的残渣抑制剂、0.3～10重量％的抗蚀剂和使整体蚀刻剂的总重量百分比为100％的水组成。

2.如权利要求1所述的透明导电膜蚀刻剂，其特征在于，所述含卤化合物具有化学式1的结构，

化学式1：AX_m；

其中，所述化学式中的A为氢离子(H⁺)、铵离子(NH₄⁺)、铁离子(Fe²⁺，Fe³⁺)、铝离子(Al³⁺)或氧化数为1-3价的碱金属离子；X为卤素；m为A的氧化个数。

3.如权利要求2所述的透明导电膜蚀刻剂，所述含卤化合物是由氯化氢(HCl)、氯化铝(AlCl₃)、氟化铵(NH₄F)、碘化钾(KI)、氯化钾(KCl)和氯化铵(NH₄Cl)组成的组中选择一种以上形成的化合物。

4.如权利要求1所述的透明导电膜蚀刻剂，其特征在于，所述氧化助剂由硝酸铵(NH₄NO₃)、硝酸钾(KNO₃)、硝酸(HNO₃)、硝酸铜(Cu(NO₃))、硝酸钠(NaNO₃)组成的组中选择一种以上形成的化合物。

5.如权利要求1所述的透明导电膜蚀刻剂，其特征在于，所述蚀刻调节剂是由硫酸(H₂SO₄)、硫酸铵((NH₄)₂SO₄)、硫酸钠(Na₂SO₄)、硫酸钾(K₂SO₄)、硫酸氢铵(NH₄SO₄H)、硫酸氢钠(NaSO₄H)、硫酸氢钾(KSO₄H)、过硫酸铵((NH₄)₂S₂O₈)、过硫酸钠(Na₂S₂O₈)和过硫酸钾(K₂S₂O₈)组成的组中选择一种以上形成的化合物。

6.如权利要求1所述的透明导电膜蚀刻剂，其特征在于，所述残渣抑制剂具有如下化学式2的结构，

化学式2：B(CH₃COO)_n；

其中，所述化学式中的B表示氢离子(H⁺)、铵离子(NH4⁺)、铁离子(Fe²⁺，Fe³⁺)、铝离子(Al³⁺)或氧化数为1～3价的碱金属离子；n是B的氧化数。

7.如权利要求6所述的透明导电膜蚀刻剂，其特征在于，所述残渣抑制剂是由醋酸(acetic acid)、醋酸钾(potassium acetate)、醋酸铵(ammonium acetate)、醋酸钠(sodium acetate)、醋酸镁(manganese acetate)、醋酸锰(manganese acetate)和醋酸锌(zinc acetate)组成的组中选择一种以上形成的化合物。