[发明专利]LAVACOAT型的预清洁与预热无效
| 申请号: | 200980139666.2 | 申请日: | 2009-09-30 |
| 公开(公告)号: | CN102171786A | 公开(公告)日: | 2011-08-31 |
| 发明(设计)人: | 布里恩·T·韦斯特;温德尔·小博伊德;萨曼莎·潭 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
| 主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/203;H01L21/205;H01L21/3065 |
| 代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 柳春雷 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | lavacoat 清洁 预热 | ||
技术领域
本发明的实施例一般而言是关于使用电磁辐射束以改变材料的表面的方法。更具体的,本发明的实施例是关于在处理腔室中所用的部件的表面改变前使用电磁束的表面制备的方法。
背景技术
随着持续以减小的尺寸来生产集成电路装置,这些装置的制造由于污染而变得更易受降低产量的影响。因此,生产集成电路装置,尤其具有较小实体尺寸的那些集成电路装置,需要比先前认为所必需的更大程度地控制污染。
集成电路装置的污染可在薄膜沉积、蚀刻或其它半导体生产处理期间,由诸如碰撞于基板上的不需要的杂散粒子的来源引起。通常,集成电路装置的制造包括诸如物理气相沉积(PVD)溅射腔室、化学气相沉积(CVD)腔室、等离子体蚀刻腔室等的腔室的使用。在沉积及蚀刻处理的过程期间,材料通常从气相冷凝至腔室中的各种内部表面上及腔室部件上以形成位于腔室及部件表面上的固体块状物。经冷凝的外来物质积聚于表面上且倾向于在晶圆处理顺序中或晶圆处理顺序期间从表面分离或剥落。经分离的外来物质随后可碰撞到晶圆基板及其上的装置上并将该晶圆基板及其上的装置污染。时常必须丢弃经污染的装置,从而降低了处理的制造产量。
为了防止已冷凝于处理腔室部件的表面上的外来物质的分离,可纹理化这些表面以使得形成于这些表面上的冷凝外来物质对表面的粘着力增强且较不可能分离及污染晶圆基板。
一种该纹理化处理将部件曝露于定向能量,其足以熔融及再成形部件表面上的材料,以形成纹理化表面。
然而,在纹理化部件之前,存在于部件表面上的沉积物以及作为纹理化处理的副产物而冷凝于部件表面上的有时可观数量的再沉积金属及金属氧化物可影响纹理形成及在纹理化处理期间从所形成的空穴喷射出的回焊材料与部件表面的粘着力。此外,来自纹理化处理的溅泼可留下松散粘着至所涂布的金属氧化物及仍未纹理化的表面的小片金属,因而降低那些位置中的最终纹理的质量。
此外,目前的纹理化处理可能不能由单程的纹理化能量束来产生足够的纹理形状及尺寸。此外,在一些状况下,若部件表面太冷,则自部件喷射出的材料可能无法充分熔合至该表面。
因此,需要一种改良的纹理化处理。
发明内容
本发明的实施例提供一种在由电磁束改变部件表面之前使用电磁束进行表面制备的方法。本文所述的实施例为待纹理化的表面提供优良预清洁而作为纹理化处理的整体部分,因而消除来自对部件的操纵或所蒸发的材料、所喷射的材料再沉积至部件表面之后清洁污染的机会。本文所述的实施例进一步强化目前的纹理化方法,以包括在能量束越过待纹理化的表面上后,立即使得该通过纹理化,因而预热表面以改良纹理形成及所喷射材料与部件表面的熔合。
在一个实施例中,提供一种对用于半导体处理腔室中的部件的表面提供纹理的方法。该方法包含在该部件的表面上界定多个区域、将电磁束移动至多个区域中的第一区域、横跨该第一区域的表面扫描该电磁束以加热该第一区域的表面,及横跨该第一区域的经加热的表面扫描该电磁束以形成特征结构。
在另一个实施例中,提供一种对用于半导体处理腔室中的部件的表面提供纹理的方法。该方法包含以电磁束扫描横跨部件表面的多个区域中的第一区域历时第一时间周期,以预清洁该部件的该第一区域的该表面而不熔融该部件,及以该电磁束扫描横跨该部件表面的该第一区域历时第二时间周期,以在该部件表面的该第一区域上形成特征结构,其中该第二时间周期在该第一时间周期完成之后立即发生。
在又一个实施例中,提供一种对用于半导体处理腔室中的部件的表面提供纹理的方法。该方法包含以电磁束扫描横跨该部件表面的多个区域中的第一区域历时第一时间周期,以熔融该部件表面,及以该电磁束扫描横跨该部件表面的该第一区域历时第二时间周期,以在该部件表面的该第一区域上形成特征结构,其中该第二时间周期在该第一时间周期之后立即发生。
在又一个实施例中,提供一种金属部件。该金属部件包含具有多个特征结构的环形主体,该等特征结构包含形成于该环形主体中的突出及凹陷,其中该突出以极软状态产生以降低金属的回火度且在夹持部件周围的其它部分期间确保部件得以软化(yield)并保形(conform)的能力。
附图说明
所以,上述简介的本发明的特征可参考对本发明更具体描述的实施例进一步理解和叙述,部分实施例示出于附图中。然而要指出的是,附图仅说明本发明的典型实施例,因此不应被视为其范围的限制,本发明亦适用于其它具有同等功效的实施例。
图1示出可用于实施本文所述的实施例的表面纹理化设备的示意性截面图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





