[发明专利]LAVACOAT型的预清洁与预热无效

专利信息
申请号: 200980139666.2 申请日: 2009-09-30
公开(公告)号: CN102171786A 公开(公告)日: 2011-08-31
发明(设计)人: 布里恩·T·韦斯特;温德尔·小博伊德;萨曼莎·潭 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00;H01L21/203;H01L21/205;H01L21/3065
代理公司: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 代理人: 柳春雷
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: lavacoat 清洁 预热
【权利要求书】:

1.一种对用于半导体处理腔室中的部件的表面提供纹理的方法,包含以下步骤:

在所述部件的所述表面上界定多个区域;

将电磁束移动至所述多个区域中的第一区域;

横跨所述第一区域的表面扫描所述电磁束,以加热所述第一区域的所述表面;及

横跨所述第一区域的所述经加热的表面扫描所述电磁束,以形成特征结构。

2.根据权利要求1所述的方法,还包含以下步骤:

将所述电磁束移动至所述多个区域中的第二区域;

横跨所述第二区域的表面扫描所述电磁束,以加热所述第二区域的所述表面;及

横跨所述第二区域的所述经加热的表面扫描所述电磁束,以形成特征结构。

3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述横跨所述第一区域的表面扫描所述电磁束以加热所述第一区域的所述表面的步骤包含以下步骤:将所述第一区域的所述表面加热至比所述部件开始熔融、流动或经历实质分解所处的温度小的温度。

4.根据权利要求1所述的方法,其中,横跨所述第一区域的表面扫描所述电磁束以加热所述第一区域的所述表面的步骤包含以下步骤:将所述第一区域的所述表面熔融至预定深度。

5.根据权利要求1所述的方法,其中,横跨所述第一区域的所述经加热的表面扫描所述电磁束以形成特征结构的步骤,在横跨所述第一区域的表面扫描所述电磁束以加热所述第一区域的所述表面之后立即发生。

6.根据权利要求1所述的方法,还包含以下步骤:在横跨所述第一区域的表面扫描所述电磁束以加热所述第一区域的所述表面之前,散焦所述电磁束。

7.根据权利要求6所述的方法,还包含以下步骤:在横跨所述第一区域的表面扫描所述电磁束以加热所述第一区域的所述表面之后,且在横跨所述第一区域的所述经加热的表面扫描所述电磁束以形成特征结构之前,重新聚焦所述电磁束。

8.根据权利要求1所述的方法,其中,横跨所述第一区域的所述表面扫描以形成特征结构的所述电磁束具有的功率密度,比横跨所述第一区域的表面扫描以加热所述区域的所述电磁束的功率密度大。

9.根据权利要求1所述的方法,其中,横跨所述第一区域的表面扫描所述电磁束以加热所述第一区域的步骤包含以下步骤:以相对于所述部件的行进速度移动所述电磁束,因此所述电磁束不熔融所述区域的所述表面而从所述表面移除污染物。

10.根据权利要求9所述的方法,其中,相对于所述部件的所述行进速度介于约每秒10米到每秒100米之间。

11.根据权利要求10所述的方法,其中,横跨所述第一区域的所述经加热的表面扫描所述电磁束以形成特征结构的步骤还包含以下步骤:以介于约每秒0.5米到约每秒4米之间的行进速度移动所述电磁束。

12.根据权利要求1所述的方法,其中,所述部件包含选自以下材料所构成的群组的材料:钢、不锈钢、钽、钨、钛、铜、铝、镍、金、银、氧化铝、氮化铝、硅、氮化硅、氧化硅、碳化硅、蓝宝石(Al2O3)、氮化硅、氧化钇、三氧化二钇及其组合。

13.根据权利要求1所述的方法,其中,所述部件包含选自以下材料所构成的群组的材料:金、银、铝硅、锗、锗硅、氮化硼、氧化铝、氮化铝、硅、氮化硅、氧化硅、碳化硅、氧化钇、三氧化二钇、非聚合物及其组合。

14.根据权利要求1所述的方法,其中,所形成的所述等特征结构选自凹陷、突出及其组合所构成的群组。

15.一种金属部件,包含:

主体,其具有多个特征结构,所述多个特征结构包括形成于所述主体中的突出及凹陷,其中,所述突出以极软状态产生,以降低金属的回火度并且在夹持所述部件周围的其它部分期间确保所述部件得以软化并保形的能力。

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