[发明专利]用于制造薄膜晶体管阵列基板的方法和装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种制造薄膜晶体管阵列基板的方法和装置，更具体来讲，涉及一种由于简化了制造工艺而能够减少制造时间的制造薄膜晶体管阵列基板的方法和装置。

背景技术

一般来讲，薄膜晶体管阵列基板(在下文中被称为“TFT阵列基板”)包括开关器件或者薄膜晶体管，其中所述开关器件控制扁平型的显示设备例如液晶显示设备或者发光显示设备中的每一像素的操作，而所述薄膜晶体管驱动上述扁平型显示设备中的每一像素。

薄膜晶体管包括栅极、形成为与所述栅极绝缘的半导体层、形成为具有在所述半导体层上的沟道区的源极和漏极、以及形成为与所述源极电连接的像素电极。

制造TFT阵列基板的工艺包括光刻工艺。

光刻工艺包括光致抗蚀剂涂覆工艺、干燥工艺、曝光工艺、显影工艺、热处理工艺和蚀刻工艺。

对于根据现有技术的TFT阵列基板的制造工艺，为了改善半导体层(a-Si)和源/漏极之间的导电性，在所述半导体层和源/漏极之间额外地形成欧姆接触层(n⁺a-Si)。在该情况下，如果所述欧姆接触层连接在源极和漏极之间，则所述欧姆接触层起到导体的作用，由此不驱动薄膜晶体管。对于根据现有技术的TFT阵列基板的制造工艺，在通过使用湿蚀刻工艺对源极和漏极构图之后，通过干蚀刻工艺去除设置于源极和漏极之间的欧姆接触层(与薄膜晶体管的沟道区对应)。在所述干蚀刻工艺期间，源极和漏极用作蚀刻欧姆接触层的掩模。

然而，现有技术的制造TFT阵列基板的方法具有以下缺点。

首先，该制造工艺复杂，并且由于使用光刻的构图工艺，增加了制造时间。

此外，由于欧姆接触层是通过干蚀刻工艺选择性地被蚀刻的，所以对于欧姆接触层的不精确蚀刻可能导致过蚀刻的问题，由此可能会因为该过蚀刻而对半导体层造成损伤。

由于对半导体层的损伤，薄膜晶体管的产量降低。

由于欧姆接触层是通过干蚀刻工艺选择性地蚀刻的，增加的制造时间导致生产力恶化。

由于像素电极通过光刻与源极电连接，所以该制造工艺复杂，并且增加了制造时间，从而降低了产量。

发明内容

技术问题

据此，本发明涉及一种制造TFT阵列基板的方法和装置，其基本上避免了由于现有技术的局限性和不足而引起的一个或多个问题。

本发明的一个方面提供了一种制造TFT阵列基板的方法和装置，其能够通过简化制造工艺来减少制造时间。

本发明的另一方面提供了一种制造TFT阵列基板的方法和装置，其能够防止半导体层受到损伤。

技术方案

本发明的另外的特征和方面将部分在随后的描述中进行阐述，而部分则将在本领域技术人员研究下文之后变得清楚明白，或者可以通过本发明的实践来了解。可以通过在所撰写的说明书及其权利要求书以及所附附图中具体指明的结构来实现和获得本发明的目的及其他优点。

为了实现这些及其他益处、并根据本发明的目的，正如此处所具体实现和概括描述的，一种制造TFT阵列基板的方法包括：在基板的整个表面上形成栅材料；执行第一构图步骤，以便通过对栅材料进行构图而形成包括栅线、栅极图案和栅焊盘电极图案的栅图案；在包括栅图案的基板的整个表面上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成包括半导体层和欧姆接触层的半导体材料；执行第二构图步骤，以便通过对所述半导体层和欧姆接触层进行构图而在所述栅极图案上方形成包括半导体层图案和欧姆接触层图案的半导体图案；在包括所述半导体图案的基板的整个表面上形成数据材料；执行第三构图步骤，以便通过对所述数据材料进行构图而形成源极和漏极图案，所述源极和漏极图案彼此相距预定间隔，并且位于所述数据线、数据焊盘电极和欧姆接触层图案的上方；去除在所述源极和漏极图案之间暴露出的欧姆接触层；以及在去除了在源极和漏极图案之间暴露出的欧姆接触层后的基板的整个表面上形成钝化层，其中所述去除欧姆接触层图案的步骤以及第一至第三构图步骤中的至少一个步骤是通过使用激光束的激光划线工序执行的。

所述方法还包括在所述钝化层上形成导电材料；执行第四构图步骤，以便通过对所述导电材料进行构图而形成像素电极图案，栅焊盘图案和数据焊盘图案；以及执行将所述像素电极图案与源极图案电连接的第一电连接步骤、将所述栅焊盘图案与栅焊盘电极图案电连接的第二电连接步骤、以及将所述数据焊盘图案与数据焊盘电极图案电连接的第三电连接步骤，其中所述第四构图步骤以及第一至第三电连接步骤中的至少一个步骤是通过使用激光束的激光划线工序执行的。