[发明专利]用于制造薄膜晶体管阵列基板的方法和装置

权利要求书

1.一种制造TFT阵列基板的方法，包括：

在基板的整个表面上形成栅材料；

执行第一构图步骤，以便通过对栅材料进行构图而形成包括栅线、栅极图案和栅焊盘电极图案的栅图案；

在包括栅图案的基板的整个表面上形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成包括半导体层和欧姆接触层的半导体材料；

执行第二构图步骤，以便通过对所述半导体层和欧姆接触层进行构图而在所述栅极图案上方形成包括半导体层图案和欧姆接触层图案的半导体图案；

在包括所述半导体图案的基板的整个表面上形成数据材料；

执行第三构图步骤，以便通过对所述数据材料进行构图而形成源极和漏极图案，所述源极和漏极图案彼此相距预定间隔，并且位于数据线、数据焊盘电极和欧姆接触层图案的上方；

去除在所述源极和漏极图案之间暴露出的欧姆接触层；以及

在去除了在源极和漏极图案之间暴露出的欧姆接触层后的基板的整个表面上形成钝化层，

其中所述去除欧姆接触层图案的步骤以及第一至第三构图步骤中的至少一个步骤是通过使用激光束的激光划线工艺执行的。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述钝化层上形成导电材料；

执行第四构图步骤，以便通过对所述导电材料进行构图而形成像素电极图案，栅焊盘图案和数据焊盘图案；以及

执行将所述像素电极图案与源极图案电连接的第一电连接步骤、将所述栅焊盘图案与栅焊盘电极图案电连接的第二电连接步骤、以及将所述数据焊盘图案与数据焊盘电极图案电连接的第三电连接步骤，

其中所述第四构图步骤以及第一、第二和第三电连接步骤中的至少一个步骤是通过使用激光束的激光划线工艺执行的。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述钝化层中形成第一、第二和第三接触孔，其中所述第一接触孔用于暴露所述源极图案，所述第二接触孔用于暴露所述栅焊盘电极图案，所述第三接触孔用于暴露所述数据焊盘电极图案；

在包括所述第一至第三接触孔的钝化层上形成导电材料；以及

执行第四构图步骤，以便通过对所述导电材料进行构图而形成像素电极图案、栅焊盘图案和数据焊盘图案，其中所述像素电极图案经由所述第一接触孔与所述源极图案电连接，所述栅焊盘图案经由所述第二接触孔与所述栅焊盘电极图案电连接，以及所述数据焊盘图案经由所述第三接触孔与所述数据焊盘电极图案电连接，

其中所述形成接触孔的步骤以及所述第四构图步骤中的至少一个步骤是通过使用激光束的激光划线工艺执行的。

4.根据权利要求2或者3所述的方法，其中执行所述第一至第四构图步骤中的至少一个步骤，以便通过使用至少一个第一激光束照射装置发出的具有第一宽度的第一激光束，对所述基板上的将要设置预定图案的第一区域中的材料进行构图，同时通过使用具有比所述第一宽度更宽的宽度的第二激光束，从所述基板上的除所述第一区域之外的将不会设置预定图案的第二区域中去除材料，所述第二激光束从至少一个第二激光束照射装置发出。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述去除欧姆接触层图案的步骤是通过利用功率逐渐减小的第三激光束重复地照射所述欧姆接触层图案而执行的，其中所述第三激光束从至少一个第三激光束照射装置发出。

6.根据权利要求2所述的方法，其中通过使用由至少一个第四激光束照射装置分别为所述第一至第三电连接步骤发出的第四至第六激光束，顺序地执行所述第一至第三电连接步骤。

7.根据权利要求2所述的方法，其中通过使用由至少一个第四激光束照射装置为所述第一电连接步骤发出的第四激光束、由至少一个第五激光束照射装置为所述第二电连接步骤发出的第五激光束、和由至少一个第六激光束照射装置为所述第三电连接步骤发出的第六激光束，同时地执行所述第一至第三电连接步骤中的至少两个。

8.根据权利要求3所述的方法，其中所述形成接触孔的步骤是以如下方式执行的，通过使用由至少一个第四激光束照射装置分别为所述第一至第三接触孔发出的第四至第六激光束，顺序地形成所述第一至第三接触孔。