[发明专利]防反射膜的成膜方法、防反射膜和成膜装置无效

专利信息
申请号: 200980136858.8 申请日: 2009-10-14
公开(公告)号: CN102159971A 公开(公告)日: 2011-08-17
发明(设计)人: 高桥明久;石桥晓;山本治彦;柳坪秀典 申请(专利权)人: 株式会社爱发科
主分类号: G02B1/11 分类号: G02B1/11;B32B7/02;B32B9/00;C23C14/08
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人: 陈万青;王珍仙
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 反射 方法 装置
【说明书】:

技术领域

本发明涉及防反射膜的成膜方法、防反射膜和成膜装置,更详细地,涉及适用于平板显示器(FPD,Flat Panel Display)的显示面、触摸面板等的操作面、太阳能电池的受光面等的防反射膜的成膜方法,防反射膜和成膜装置。

本申请基于2008年10月17日在日本申请的日本专利申请第2008-268769号主张优先权,在此引用其内容。

背景技术

近些年,在平板显示器(FPD)、触摸面板、太阳能电池等中,使用各种各样的防反射膜用于防反射。

作为以往使用的防反射膜,提出了在透明基板上依次层压有高折射率层、低折射率层的多层结构的防反射膜。

这种防反射膜中,高折射率层例如使用TiO2(折射率:2.3~2.55)、ZrO2(折射率:2.05~2.15)等,此外,低折射率层例如使用SiO2(折射率:1.45~1.46)等(专利文献1、2)。

这种防反射膜中,通过改变高折射率层或低折射率层的膜厚或材质,可得到所希望的防反射性能。

这种防反射膜可如下得到:在透明基板上通过使用SiO2等低折射率材料的靶的溅射形成低折射率层,接着在该低折射率层上通过使用TiO2或ZrO2等高折射率材料的靶的溅射形成高折射率层。

专利文献1:日本特开平7-130307号公报

专利文献2:日本特开平8-75902号公报

然而,为了通过溅射形成以往的多层结构的防反射膜,需要在每层准备不同的靶进行成膜。即,需要依次溅射TiO2靶和SiO2靶进行成膜,或者在导入氧气等反应性气体的同时,依次溅射Ti靶和Si靶进行成膜。

另一方面,在导入氧气等反应性气体的同时,溅射Ti靶和Si靶而成膜时,需要导入大量氧气,因此存在与形成由金属氧化物构成的透明导电膜的气氛相同的气氛下不能成膜的问题点。

发明内容

本发明是为了解决上述问题而提出的,其目的在于,提供不用向进行溅射的成膜室搬入基板以及从该成膜室搬出基板,而在同一成膜室内进行溅射,从而可得到具有所希望的防反射性能,且也起到透明导电膜作用的氧化铟类防反射膜的防反射膜的成膜方法。

此外,目的在于,提供具有所希望的防反射性能,且也起到透明导电膜作用的氧化铟类防反射膜。

此外,目的在于提供可在一个装置内形成层压有折射率互不相同的多层折射率层的防反射膜的成膜装置。进一步地,目的在于提供使用相同的氧化铟类靶,对导入的氧气、氢气或水蒸气的分压比进行调整来进行溅射,从而可形成层压有折射率互不相同的多层折射率层的防反射膜的成膜装置。

本发明人对使用氧化铟类透明导电膜的防反射膜的成膜方法进行深入研究的结果发现,在使用由氧化铟形成的靶通过溅射法形成层压折射率不同的多层折射率层而成的氧化铟类防反射膜时,如果改变含有选自氧气、氢气和水蒸气中的一种、两种或三种的反应性气体中各气体的比例进行溅射,则可有效地形成在第一氧化铟类薄膜上层压有折射率不同的第二氧化铟类薄膜的具有所希望的反射性能的防反射膜,至此完成本发明。

即,本发明的第一方式中的防反射膜的成膜方法为具有第一氧化铟类薄膜和层压在该第一氧化铟类薄膜上的第二氧化铟类薄膜的防反射膜的成膜方法,该方法包括:在含有选自氧气、氢气和水蒸气中的一种、两种或三种的第一反应性气体中进行使用第一氧化铟类靶的溅射,从而形成第一氧化铟类薄膜的第一成膜工序;和在所述第一氧化铟类薄膜上,在含有选自氧气、氢气和水蒸气中的一种、两种或三种且与所述第一反应性气体不同组成的第二反应性气体中进行使用第二氧化铟类靶的溅射,从而形成第二氧化铟类薄膜的第二成膜工序。

上述制造方法中,在第一成膜工序中,在含有选自氧气、氢气和水蒸气中的一种、两种或三种的第一反应性气体中进行使用第一氧化铟类靶的溅射,从而形成第一氧化铟类薄膜。进一步地,在第二成膜工序中,在含有选自氧气、氢气和水蒸气中的一种、两种或三种且与所述第一反应性气体不同组成的第二反应性气体中进行使用第二氧化铟类靶的溅射,从而形成第二氧化铟类薄膜。

因此,根据上述制造方法,可使用氧化铟类靶来层压折射率不同的多层折射率层,其结果是,可有效地形成具有所希望的防反射性能的防反射膜。

优选所述第二反应性气体的氢气含量与所述第一反应性气体不同。

优选所述第二反应性气体的水蒸气含量与所述第一反应性气体不同。

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